Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Сидельковская Ф.П. "Химия N-вннилпирролидона и его полимеров" ()

Райт П. "Полиуретановые эластомеры" (Высокомолекулярная химия)

Сеидов Н.М. "Новые синтетические каучуки на основе этилена и олефинов" (Высокомолекулярная химия)

Поляков А.В "Полиэтилен высокого давления. Научно-технические основы промышленного синтеза" (Высокомолекулярная химия)

Попова Л.А. "Производство карбамидного утеплителя заливочного типа" (Высокомолекулярная химия)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Высокомолекулярная химия -> Беднарж Б. -> "Светочувствительные полимерные материалы" -> 2

Светочувствительные полимерные материалы - Беднарж Б.

Беднарж Б., Ельцов А.В., Заковал Я., Краличек Я., Юрре Т.А. Светочувствительные полимерные материалы — Л.: Химия, 1985. — 296 c.
Скачать (прямая ссылка): photopolimers.djvu
Предыдущая << 1 < 2 > 3 4 5 6 7 8 .. 139 >> Следующая

анионами........................ 125
III. 2.3.1. Пути фоторазложения............. 125
III. 2.3.2. Композиции светочувствительных слоев ........ 131
8
Глава IV. Негативные азидсодержащие фоторезисты . . ....... 133
IV. 1. Фотохимические свойства арилазидов . ...........135
IV. 2. Олеофильные арилазнды в фоторезистах........141
IV. 3. Водорастворимые арилазиды в фоторезистах.......... 151
IV. 4. Фоторезисты на основе азидополимеров ....... .... 155
Глава V. Негативные фоторезисты на основе поливинилциннаматов и других циклодимеризующихся систем .............161
V. 1. Составы на основе поливинилциннаматов ...........161
V. 2. Другие циклодимеризующиеся полимерные системы.......172
Глава VI. Фоторезисты различного назначения ... ....... 177
VI. 1. Фоторезисты для коротковолнового УФ-света.........177
VI. 1.1. Позитивные фоторезисты...............?78
VI. 1.2. Негативные фоторезисты...............186
VI. 2. Сухие фоторезисты....................187
VI. 3. Термостойкие фоторезисты.................190
VI. 4. Фоторезисты-диффузанты..................195
VI. 5. Системы с переносом рельефного изображения.........200
VI. 6. Светочувствительные слои для печатных форм офсета без увлажнения 205
Глава VII. Резисты, чувствительные к электронному и рентгеновскому
излучению.......... ..........212
VII. 1. Особенности распространения электронного излучения в полимерных
слоях........................... 214
VII. 2. Структурирование и деструкция полимеров под действием ионизирующего излучения...................... 222
VII. 2.1. Чувствительность полимеров к ионизирующему излучению . . 224 VII. 2.2. Механизмы превращения полимеров........... 228
VII. 2.2.1. Диеновые полимеры...............228
VII. 2.2.2. Полимеры акриловой и метакриловой кислот и их производных.......................230
VII. 2.2.3. Полиолефины, полиолефинсульфоны.........233
VII. 2.2.4. Полимеры на основе стирола и винилацетата.....235
VII. 3. Технологические разработки резистов............237
VII. 3.1. Особенности оценки литографических параметров......237
VII.3.2. Электроиорезисты..................242
VII. 3.2.1. Негативные резисты . ..............243
VII. 3.2.2. Позитивные резисты...............255
VII. 3.3. Рентгеиорезисты...................264
VII. 3.4. Неорганические резисты...............266
Глава VIII. Многослойные резистиые системы...........268
Приложение. Промышленные фоторезисты..........279
Литература......................... 283
ПРИНЯТЫЕ В КНИГЕ СОКРАЩЕНИЯ
БИС — большие интегральные схемы
ГПХ — гель-проникающая хроматография
ДТА — дифференциально - термический анализ ИС — интегральные схемы ИХТ — ионно-химическое травление
ЛПЭ — линейная потеря энергии ММ — молекулярная масса ММР — молекулярно - массовое
распределение MPC — малоугловое рассеяние
света
MCP — многослойный резист ОО — обратное отражение ОПФ — оптическая передаточная функция
ПАВ — поверхностно - активные
вещества ПМ — прилегающая- маска ПХТ — плазменио - химическое
травление РБУ — рассеяние под большим
углом
РМУ — рассеяние под малым углом
ТГА — термогравпмстрнческий анализ
ФПМ — функция передачи модуляции
ЧКХ — частотно-контрастная характеристика
ЭВМ — электронно - вычислительная машина
ЭЛУ — электронно-лучевая установка
ЭПР — электронный парамагнитный резонанс
ЯМР — ядерный магнитный резонанс
AR — aspect ratio
Химические соединения
ДМАА
дмсо
ДМФА
НС
ПАА
ПБА
ПБМА
ПВА
ПВБ
ПВП
ПВС
ПВХ
ПДДЭ
ПДМС ПДХПА
ПИБ ПМА ПМАА
ПМАК
ПММА
ПМСТ
ПП
ПС
ПУ
ПФМА
ПЭ
ПЭА
ПЭТФ
ТГФ
ЭПБ
эпи
— диметилацетамид
— диметилсульфоксид
— диметилформамид
— новолачиая смола
— полиакриламид
— полибутилакрилат
— полибутилметакрилат
— поливииилацетат
— поливинилбутираль
— поливинилпирролидои
— поливиниловый спирт
— поливииилхлорид
— продукт поликоиденсации пиромеллитового дианги-дрида и диамииодифеии-лового эфира
— полидиметилсилоксаи
— поли-2,3-Дихлор-1-про-пилакрилат
— полиизобутилен
— полиметилакрилат
— ангидрид полиметакрило-вой кислоты
— полиметакриловая кислота
— полиметнлметакрилат
— поли-а-метилстирол
— полипропилеи
— полистирол
— полиуретан
— полифенилметакрилат
— полиэтилен
— полиэтилацетат
— полиэтилеитерефталат
— тетрагидрофуран
— эпоксидироваиный полибутадиен
— эпоксидироваиный полиизопрен
ПРЕДИСЛОВИЕ
Среди большого разнообразия материалов, используемых современной радиоэлектроникой и полиграфией, фото-, электроно- и рентгенорезисты занимают особое положение. Они предназначены для проведения литографии — создания под действием излучения на поверхности подложки в виде рельефного изображения топологии будущей радиоэлектронной схемы или полиграфической печатной формы. С этих технологических операций и начинается длинная цепь этапов производства радиоэлектронных, в том числе и микроминиатюрных, приборов. Если учесть, что размеры элементов современных радиоэлектронных схем составляют менее 1 мкм, то очевиден высокий уровень требований к совокупности свойств таких материалов. Без резистов была бы невозможна современная микроэлектроника.
Предыдущая << 1 < 2 > 3 4 5 6 7 8 .. 139 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама