Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Сидельковская Ф.П. "Химия N-вннилпирролидона и его полимеров" ()

Райт П. "Полиуретановые эластомеры" (Высокомолекулярная химия)

Сеидов Н.М. "Новые синтетические каучуки на основе этилена и олефинов" (Высокомолекулярная химия)

Поляков А.В "Полиэтилен высокого давления. Научно-технические основы промышленного синтеза" (Высокомолекулярная химия)

Попова Л.А. "Производство карбамидного утеплителя заливочного типа" (Высокомолекулярная химия)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Высокомолекулярная химия -> Беднарж Б. -> "Светочувствительные полимерные материалы" -> 20

Светочувствительные полимерные материалы - Беднарж Б.

Беднарж Б., Ельцов А.В., Заковал Я., Краличек Я., Юрре Т.А. Светочувствительные полимерные материалы — Л.: Химия, 1985. — 296 c.
Скачать (прямая ссылка): photopolimers.djvu
Предыдущая << 1 .. 14 15 16 17 18 19 < 20 > 21 22 23 24 25 26 .. 139 >> Следующая

* AR (aspects ratio) — отношение толщины линий к ширине в наиболее разрешенных участках рельефа — количественная характеристика резиста.
42
1.3.4. Ионная литография
Ускоренные ионы, например Оа3+, Ве2+, 1п3+, 5п2+ и др. [63, 64], при прохождении через вещество могут вызвать химические реакции подобно ускоренным электронам. Однако, поскольку рассеяние ионов (с энергией 1—3 МэВ) существенно меньше рассеяния электронов, существует возможность при помощи ионной литографии достигать высоких степеней разрешения [65]. Фокусированный пучок ионов можно сканировать подобно потоку электронов, что может быть использовано для непосредственного образования структур с высокой плотностью элементов в разных полимерных материалах, например в ПММА [63]. Разрешение определяется рассеянием ионов и возникающих вторичных электронов.
5
100кВт , 95 к В \
Ш1
1
^2
ов
"2ZA
^2

///




92 кВ
ов
ов
Рнс. 1.24. Схема ионного источника в триодном (а) н тетродном (6") исполнении: / — нонный источик (жидкий металл); 2 — экстрактор; 3 — электростатические лннзы; 4 — три-одная область; 5 — ускорители.
Возможности ионной литографии интенсивно изучаются, однако к ее технологическому использованию ведет еще долгий путь. На рис. 1.24 изображены два возможных исполнения ионного источника: триодное (источник, экстрактор и первый ускоритель) с чеканными электростатическими линзами (рис. 1.24, а) и тетродное (рис. 1.24,6). Разработана система проекционной ионной микролитографии 1:60 [66]. В ней используются уменьшающие ионно-оптические системы высокого разрешения в сочетании с прецизионным движением (шаг-и-повторение) подложки. Поскольку достигается многократное уменьшение, пучки ионов, проходящие через маску, на подложке концентрируются, что при использовании органического резиста дает возможность экспонировать весь кристалл (чип) за несколько миллисекунд. Кроме того, можно проводить прямое травление диэлектрика (БЮг, 513Н4), полупроводника (Б!, ОаАэ) и металлических слоев при времени экспонирования порядка секунды; при этом указанные слои могут быть использованы как неорганические резисты. Ионная проекционная микролитография, таким образом, дает возможность создания новых технологических приемов [67], включающих сканирующую литографию, безмасочные имплантацию и травление [63].
43
I. 3.5. Смешанная литография
Технология сверхбольших интегральных схем с субмикронными размерами элементов не требует обязательного образования субмикронных рельефов во всех слоях интегральной схемы. Принимая во внимание малую скорость переноса изображения пучком электронов, которая ограничивает скорость всего процесса производства микросхемы, целесообразно использовать этот прием для образования рельефа в слое, где требуется создание субмикронных элементов, а для создания микрорельефов в остальных слоях применять фотолитографию. Для такой комбинации литографических приемов используется термин смешанная (гибридная) литография [68]. Комбинация может включать и рентгеновскую литографию с фотолитографией. Основной проблемой смешанной литографии является достижение качественного совмещения. Принципиально эта проблема может быть решена, поэтому смешанная литография является перспективным направлением развития технологии производства микроэлектронных приборов [69].
Дозы излучения, используемые при экспонировании пучком электронов или рентгеновским излучением, достигают значений 10—500 кГр. Эти дозы поглощаются в чувствительных оксидах затвора и могут привести к его повреждению [70, 71]. По этой причине необходимо, чтобы доза экспонирования электроно- и рент-генорезистов была как можно меньшей.
1.4. СВЕТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ, КОНТРАСТНОСТЬ, РАЗРЕШАЮЩАЯ СПОСОБНОСТЬ ФОТОРЕЗИСТОВ
Оптимальное время контактного экспонирования определяется с помощью миры, измерения ширины линий и клина оптических плотностей. Клин содержит поля, у которых оптическая плотность
Рис. 1.25. Принцип оптического клина:
/ — свет; 2 — модель клина оптических плотностей; 3 — слой
фоторезиста; S. —S
номера
клиньев с переменной оптической плотностью.
возрастает ступенчато на определенную величину. При постоянном времени экспонирования количество прошедшего через клин излучения ступенчато снижается с возрастанием оптической плотности поля (рис. 1.25). При увеличении времени экспонирования растет число ступеней, обнаруживающихся при проявлении, и таким образом можно визуально определять время экспонирования. В качестве порогового номера клина рекомендуется выбрать находящийся на границе между хорошо и плохо сформированными рель-
44
ефами. Этот метод позволяет корректировать время экспонирования в процессе каждодневной работы, если приблизительное время экспонирования известно из предыдущего измерения.
У новой светочувствительной системы или резиста обычно проводят 6 испытаний с постоянным временем засветки. Для сохранения сопоставимых условий (особенно температуры) предпочтительно использовать один клин, который в процессе экспонирования закрывают непрозрачной фольгой, оставляя открытым продольный край, а затем через определенный временной интервал сдвигают фольгу, расширяя открытую зону и используя, таким образом, весь клин по частям во времени. Проявление и сушку слоев следует проводить в точном соответствии с режимом, предполагаемым для практики. У сканирующих устройств или устройств с движущимся источником обычно не существует прямой пропорциональности между скоростью движения источника и временем экспонирования. Необходимо поэтому определить эту зависимость экспериментально. Для вычисления времени экспонирования tm, отвечающего клину с оптической плотностью Sm при /л-ной скорости движения, используют данные времени экспонирования tn и плотности Sn в соответствии с уравнением (I. 18):
Предыдущая << 1 .. 14 15 16 17 18 19 < 20 > 21 22 23 24 25 26 .. 139 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама