Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Сидельковская Ф.П. "Химия N-вннилпирролидона и его полимеров" ()

Райт П. "Полиуретановые эластомеры" (Высокомолекулярная химия)

Сеидов Н.М. "Новые синтетические каучуки на основе этилена и олефинов" (Высокомолекулярная химия)

Поляков А.В "Полиэтилен высокого давления. Научно-технические основы промышленного синтеза" (Высокомолекулярная химия)

Попова Л.А. "Производство карбамидного утеплителя заливочного типа" (Высокомолекулярная химия)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Высокомолекулярная химия -> Беднарж Б. -> "Светочувствительные полимерные материалы" -> 21

Светочувствительные полимерные материалы - Беднарж Б.

Беднарж Б., Ельцов А.В., Заковал Я., Краличек Я., Юрре Т.А. Светочувствительные полимерные материалы — Л.: Химия, 1985. — 296 c.
Скачать (прямая ссылка): photopolimers.djvu
Предыдущая << 1 .. 15 16 17 18 19 20 < 21 > 22 23 24 25 26 27 .. 139 >> Следующая

*m = UV2fm~S" (1.18)
Примеры расчетов и условия проведения испытаний приведены в работе [4].
Метод качества поверхности, применяемый в полиграфии, исходит из качественной оценки поверхности экспонированной области и предположения, что правильно экспонированная поверхность резиста после проявления и сушки является твердой и блестящей. Серией различных времен экспонирования при помощи этого критерия может быть установлено минимальное время экспозиции. Оценка качества поверхности субъективна и требует наличия опыта у экспериментатора.
Метод измерения ширины линий наиболее надежен по сравнению с другими. Он заключается в определении точности воспроизведения маски и визуальной оценки изображения. Обычное измерение ширины линий состоит из серии 6 экспозиций и сравнения изображения на фоторезисте с изображением на маске. Если с помощью визуальной оценки поверхности слоя резиста достигнуто оптимальное время экспонирования, для дальнейшего его уточнения сравнивают ширину линий рельефа и шаблона. Допустимые погрешности ухода ширины линий зависят от размеров изображаемых структур и составляют для макролитографии (полиграфии) ±3 мкм, а для микроэлектроники примерно 0,1 мкм. Модификация этого приема состоит в экспонировании через клин оптических плотностей и измерении ширины линий для разных клиньев. Определяют уход размеров в зависимости от времени экспонирования и выбирают количество экспонирующего света, при котором уход размеров минимален (рис. 1.26).
46
Для определения времени экспонирования можно использовать тест на разрешающую способность, в котором используется маска с серией клинообразно уменьшающихся по ширине линий и промежутков между ними. При проведении нескольких экспозиционных испытаний определяется время экспонирования, при котором достигается наибольшее разрешение. Можно одновременно экспонировать и через клин оптических плотностей и определить относительную экспозицию. Предпочитают использовать слои на твердой основе во избежание потери адгезии отдельными линиями, что приводит к неправильным заключениям. У позитивных резистов рекомендуется контролировать и линии и промежутки между ними, так
как переэкспонирование +/,Ог ведет к расширению про-
межутков, а недоэкспони-рование — к расширению линий. Оптимальное время экспонирования достигается при наименьших отклонениях размеров линий и промежутков.
Рис. 1.26. Изменения ширины линий в зависимости от времени экспонирования фоторезиста SCR-5: А — область допустимых отклонений.
Принимая во внимание, что в процессе эксплуатации меняется эмиссия источника и может изменяться и качество резиста, необходимо проводить каждодневный контроль времени экспонирования. Для этой цели вполне подходит клин оптических плотностей.
Для определения времени экспонирования в микроэлектронике используется мира, метод измерения ширины линий и клин оптических плотностей. Применяется стандартная мира, содержащая уменьшающиеся линии и интервалы [4].
При постоянной толщине слоя степень фотохимического превращения фоторезиста зависит от скорости поглощения энергии света единицей поверхности / [в Дж/(см2-с)] и времени экспонирования t (в с):
It" = Const (1.19)
где р — показатель Шварцшильда.
В соответствии с уравнением (I. 19) при изменении интенсивности источника надо пропорционально изменять время экспонирования (закон взаимозаместимости) [4]. Однако существует множество случаев невыполнения этого закона (невзаимозамести-мость).
Разрабатываются методы, позволяющие более полно выявить специфические особенности материала при экспонировании. Так, используется оценка свойств материала по значениям экспозиции
46
Ямакс и Ямин и коэффициенту контрастности С:
С = Ямакс///мин
где Ямакс — экспозиция, необходимая для наиболее полного изменения свойств поля (растворимости) во всем объеме; ЯМИн — экспозиция, отвечающая наблюдаемому начальному моменту изменения свойств (растворимости) при действии света.
Эти величины зависят от первоначальной толщины нанесенного слоя; по ним можно рассчитывать время экспонирования % для разных слоев при заданном световом потоке /.
Предложены характеристики невзаимозаместимости и фотографической широты [72]. Известна методика, определяющая свойства слоя по сенситометрической (характеристической) кривой. Она отвечает зависимости й — 1цН, где й — толщина слоя, Н ¦= //5 — экспозиция, т. е. величина, обратная светочувствительности. Для негативных составов начальный момент возникновения фоторельефа — появление на подложке нерастворимой в проявляющем растворе пленки с минимальной толщиной 0,03 мкм — определяет «пороговую» чувствительность композиции (5ПОр). Часто оценивается также светочувствительность при «рабочей» толщине слоя, обычно 0,5 мкм [50,5 см2/(Вт-с)]. Мерой интенсивности процесса служит коэффициент контрастности — тангенс угла наклона прямолинейного участка характеристической кривой (он может принимать значения от единиц до нескольких десятков единиц). Эта методика разработана для определения интегральной и спектральной чувствительности негативных и позитивных фоторезистов. На ее основе получают ряд параметров, характеризующих фототропизм слоя [73].
Предыдущая << 1 .. 15 16 17 18 19 20 < 21 > 22 23 24 25 26 27 .. 139 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама