Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Сидельковская Ф.П. "Химия N-вннилпирролидона и его полимеров" ()

Райт П. "Полиуретановые эластомеры" (Высокомолекулярная химия)

Сеидов Н.М. "Новые синтетические каучуки на основе этилена и олефинов" (Высокомолекулярная химия)

Поляков А.В "Полиэтилен высокого давления. Научно-технические основы промышленного синтеза" (Высокомолекулярная химия)

Попова Л.А. "Производство карбамидного утеплителя заливочного типа" (Высокомолекулярная химия)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Высокомолекулярная химия -> Беднарж Б. -> "Светочувствительные полимерные материалы" -> 26

Светочувствительные полимерные материалы - Беднарж Б.

Беднарж Б., Ельцов А.В., Заковал Я., Краличек Я., Юрре Т.А. Светочувствительные полимерные материалы — Л.: Химия, 1985. — 296 c.
Скачать (прямая ссылка): photopolimers.djvu
Предыдущая << 1 .. 20 21 22 23 24 25 < 26 > 27 28 29 30 31 32 .. 139 >> Следующая

1-1
Т (t) - ехр < - V [AM (х, t) + В] dx > (I. 28)
64
Уравнение (I. 16) при Т(0) сводится к (1.29):
Т (0) = ехр [- (А + В) Л] (1.29)
а при со к (I. 30)
Т (о°) = ехр (— Вй) (1.30)
Для скорости изменения пропускания справедливы уравнения (1.31) и (1.32):
а
^Р-=-Т(1}-^^(АМ(х,1) + В]Лх (1.31)
о
М.-гЮ^'^Лг (1.32)
о
Так как согласно уравнению (1.33)
дМд1' 0) ~ ~ С/° 6Хр [~ {А + В) Х] (ГЗЗ)
то начальное изменение пропускания определяется соотношениями (1.34) и (I. 35):
^Р~=Т (0) А^С10ехр[-(А+B)x]dx (1.34)
о
= Т (0) [ 1 - Т (0)] Л/0С/(Л +В) (I. 35)
Таким образом, получаем систему асимптотических соотношений (1.36), (1.37) и (1.38) для Л, В и С, включающих пропускание пленки резиста в начале экспонирования, начальную скорость изменения пропускания и пропускание полностью экспонированного слоя:
Л = (1/^) Ш [7* (оо)/Г (0)1 (1.36)
В = - (\^) 1п Г (со) (1.37)
г А+В атМ (138^
При использовании монохроматического света и подходящего детектора можно измерять интенсивность света, проходящего через резист / и интенсивность /0. В качестве детектора можно использовать калиброванный люксометр и его данные в процессе экспонирования заносить в память ЭВМ. Обработка данных для А, В и С проводится при помощи осуществляемой несколько раз регрессии. Значения Л, В и С в полосах испускания ртутной лампы, а также показатели преломления фоторезиста Л2-1350Л приведены ниже (предварительный нагрев при 70 °С в течение 1 ч [1]):
Я, нм 435,8 404,7 365,0
Л, мкм-1 0,54 0,86 0,74
B, мкм-1 0,06 0,07 0,20
C, см2/Дж 14 18 12
п 1,65 1,70 1,72
Определение значений Л, В и С дает возможность провести численное интегрирование полученных уравнений и установить распределение ингибитора в тонком слое резиста в зависимости от дозы излучения V вплоть до толщины 2 мкм по уравнениям (1.26) и (1.27) (рис. 1.27). Однако и при этой толщине распределение ингибитора в слое не является однородным, при экспонировании образуется концентрационный градиент ингибитора. Изменение скорости проявления резиста в зависимости от х дает возможность характеризовать процесс проявления прн определенном градиенте концентрации ингибитора.
55
Было создано специальное устройство, позволяющее непосредственно определять толщину слоя резиста в процессе проявления в зависимости от времени [83]. Измерение толщины основано на интерференционном принципе с использованием света с длиной волны 550—800 нм, в процессе опыта проводится 200—500 измерений.
Найдено эмпирическое соотношение (1.39) между М и R, которое хорошо описывает опытные данные (рис. 1.28) в области высоких М; область ма-
0 0,5 1,0 1,5 2,0 01\_,
СЬ,МКМ '0,2 0,4 0,8 0,8 1,0
М
Рис. 1.27. Зависимость доли непрореагировавшего ингибитора растворения М от толщины пленки фоторезиста <* на неотражающей подложке при разных количествах экспонирующего света.
Рис. 1.28. Зависимость скорости проявления /? резиста Аг-ШО/в проявителе РО. : НгО (1 : 1) при 20 °С (сушка при 70 °С) от доли непрореагировавшего ингибитора М.
лых М трудна для аналитической проработки, поскольку значения Л в ней очень большие:
« = ехр (Е, + Е2М + Е3М2) (I. 39)
где Е\ — Е3 экспериментально определяемые коэффициенты.
Автоматизация всех аналитических определений весьма упрощает нахождение Я.
Эту простую модель можно распространить и на системы, где имеет место отражение от подложки и границы резнет — воздух, т. е. интерференционный эффект, и таким образом получить характеристики профиля рельефа. Ее использование в проекционном экспонировании [35] требует учитывать в расчетах неоднородность интенсивности света в слое резиста и соответствующую ей неоднородность концентрации ингибитора.
С помощью соотношений, выведенных Берингом [86], найдена другая модель, описывающая рельеф края слоя резиста. Модель, разработанная Мак-Гиллисом и Ферсом [87], дает возможность оценить ширину линий; она учитывает дифракцию Френеля на краях маски. Уход размеров линий Д в резнете, отвечающих прозрачным участкам маски, определяется соотношением (1.40):
Д = ая0-5 1п Е( - |п Ет + 1п К (1.40)
где а и К — константы, характеристические для используемой экспозиционной системы; в —расстояние между маской и подложкой; Е, — энергия падающего излучения; Ет — энергия начала экспозиционного процесса.
Модель показала существование оптимального экспозиционного отношения Е{/Ет, при котором достигается минимальная разница в ширине линий для всех методов экспонирования.
Модель экспонирования негативного фоторезиста и математическую обработку процесса структурирования в зависимости от распределения молекулярной массы фотополимера предложили Райзер и Питтс [88].
56
1.6. ПОСТЭКСПОЗИЦИОННАЯ ТЕРМООБРАБОТКА
В результате постэкспозиционной термообработки (второй термообработки, доотверждения или термозадубливания) все типы резистов приобретают большую химическую стойкость при травлении, повышенную адгезию к подложке и меньшую пористость. Протекающие при этом физико-химические процессы очень важны. У негативных и позитивных резистов при повышенной температуре происходит дальнейшее структурирование и тем самым упрочнение рельефа. При этом удаляются также летучие вещества и улучшается распределение полимерной пленки на адгезионных центрах ТАБЛИЦА 1.1. Постэкспозиционная термообработка рельефа [4]
Предыдущая << 1 .. 20 21 22 23 24 25 < 26 > 27 28 29 30 31 32 .. 139 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама