Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Сидельковская Ф.П. "Химия N-вннилпирролидона и его полимеров" ()

Райт П. "Полиуретановые эластомеры" (Высокомолекулярная химия)

Сеидов Н.М. "Новые синтетические каучуки на основе этилена и олефинов" (Высокомолекулярная химия)

Поляков А.В "Полиэтилен высокого давления. Научно-технические основы промышленного синтеза" (Высокомолекулярная химия)

Попова Л.А. "Производство карбамидного утеплителя заливочного типа" (Высокомолекулярная химия)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Высокомолекулярная химия -> Беднарж Б. -> "Светочувствительные полимерные материалы" -> 27

Светочувствительные полимерные материалы - Беднарж Б.

Беднарж Б., Ельцов А.В., Заковал Я., Краличек Я., Юрре Т.А. Светочувствительные полимерные материалы — Л.: Химия, 1985. — 296 c.
Скачать (прямая ссылка): photopolimers.djvu
Предыдущая << 1 .. 21 22 23 24 25 26 < 27 > 28 29 30 31 32 33 .. 139 >> Следующая

Рези CT
Назначение резиста
Условия нагрева
температура.
время, мнн
Waycoat 1С Waycoat SC KMER
KTFR
Waycoat Positive HR
QAF Microltne PR-102
AZ-1350B
AZ-1350J
AZ-111
Общее
Глубокое травление Травление 81 Травление БЮг
Контроль качества Травление Сг
Травление Э1 Контроль качества Общее
135 150—170 160—200
12
180
140
100
160 140 100 80 ПО 150 ПО
15 (в азоте) 25 15 10 30 15
Кратковременный 10-20
10 30 30 30 30
подложки. Слишком высокая температура и чрезмерно длительная выдержка, напротив, могут вызвать ухудшение качества пленки: деформацию рельефа, потерю адгезии, ломкость, разложение, а, следовательно, затруднения при полном снятии пленки резиста с подложки. Температура и время доотверждения зависят также от материала подложки и глубины травления. Условия термообработки для стандартных типов резистов приведены в табл. I. 1. Для электрометаллизации время термообработки необходимо увеличить до 20—30 мин. Позитивные резисты выдерживают более высокие температуры, но их снятие с подложки после этого затруднительно.
1.7. ТРАВЛЕНИЕ ПОДЛОЖКИ И СНЯТИЕ РЕЗИСТА
Перенос рельефного изображения фоторезиста в материал подложки достигается ее травлением по рисунку рельефа резиста. Для травления используют как растворы травителей, так и плазму.
Для снятия тонких слоев подложки применяют разбавленные растворы травителей, чтобы иметь возможность контролировать
57
скорость травления и снизить подтравливание фоторезистного рельефа. Так же, как и проявление, травление может проводить окунанием или пульверизацией. Для получения воспроизводимых результатов необходимо поддерживать оптимальный режим травления, установленный экспериментально. На процесс травления оказывают влияние концентрация реагентов в травильной ванне, температура, продолжительность травления и режим механического движения подложки с поверхностным рельефом в травильной ванне. Так как химическое травление изотропно, то оно вызывает подтравливание (рис. 1.29). Это ограничивает использование такого способа травления, особенно для толстых слоев резиста. Следует проводить постоянный контроль глубины травления. При
травлении многослойных структур используют селективные травители, которые могут загрязнять поверхность, 2 протравливаемую на следующей ста-
J
Рис. I. 29. Схема изотропного травления:
7 — резист; 2 — диоксид кремния; 3 — кремний.
дии, и тем самым отрицательно влиять на равномерность последующего травления. Обычно при этом необходима неокислительная промывка кислотой.
Контролируемое травление может быть осуществлено вибрационным способом [90], когда подложка в растворе травильного агента подвергается вибрации. Преимуществом этого метода является малый объем используемого травильного агента.
В случае биметаллических или триметаллических офсетных форм наибольшее значение имеет травление хрома и меди. В микроэлектронике травлению подвергают различные материалы, прежде всего в проводящих и контактных слоях (Си, N1, А1, Ag, Аи, комбинации №Сг—Си, №Сг—Аи, №Сг— №—Аи), слоях сопротивления (Сг, 1\НСг, Сг—Б1, Сг—БЮ, Та2Ы) и изолирующих диэлектрических слоях (510, ??02, 513М4). Гальванический элемент, возникающий при травлении многослойных структур из разных металлов, обусловливает повышенную скорость травления одного металла, изменяет размеры рельефа и вызывает расслаивание.
Ванны для травления хрома обычно содержат 454 г А1С13-6Н20, 135 г 2пС12, 300 мл Н3Р04 в 400 мл Н20 или 20 г Се(504)3, 164 мл концентрированной Н1Ч03, 6 мл концентрированной Н2504 в 550 мл воды. Для травления меди используют водный раствор РеС13 плотностью 1,33—1,41 г/см3. Травление БЮ осуществляют водным раствором ЫН4Р и ЫН4ОН; раствор для травления диоксида кремния обычно содержит 15 мл 48%-ной НР, 10 мл 70 %-ной НЫОз в 300 мл воды или 9—12 % (об.) 40%-ного Ш4Р в 48% -ной НР. Подробное описание состава травильных ванн для разных материалов приведено в работе [91].
58
Обычное «мокрое» травление имеет изотропный характер и в случае субмикронных структур не позволяет сохранить размеры изображения в допустимых пределах. Сухое плазменное травление дает возможность проводить травление подложки анизотропно и с высокой точностью. Обработка плазмой используется для проявления скрытого изображения (сухие резисты, см. раздел VI. 3) и часто для полного снятия слоя резиста после травления подложки.
Плазма представляет собой частично ионизированный газ, состоящий из электронов, ионов и различных нейтральных частиц. Она возникает при действии на поток газа электрического или магнитного поля или высокой температуры [92]. Плазма содержит примерно одинаковые количества носителей положительных и отрицательных зарядов. Отдельные типы плазмы отличаются прежде всего концентрацией электронов пе и средней энергией электронов kTe (где k — константа Больцмана, Те — температура электронов). Характеристической величиной также является отношение напряженности электрического поля к давлению газа Е/Р. В микроэлектронике используется плазма, генерированная в тлеющем разряде. Для плазмы этого типа обычное давление составляет 6,5—650 Па, концентрация электронов 1012 см-3, энергия — ориентировочно 1 — 10 эВ (соответствует температуре 104—105 К). Отношение концентрации электронов к концентрации нейтральных частиц составляет Ю-6— Ю-4.
Предыдущая << 1 .. 21 22 23 24 25 26 < 27 > 28 29 30 31 32 33 .. 139 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама