Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Сидельковская Ф.П. "Химия N-вннилпирролидона и его полимеров" ()

Райт П. "Полиуретановые эластомеры" (Высокомолекулярная химия)

Сеидов Н.М. "Новые синтетические каучуки на основе этилена и олефинов" (Высокомолекулярная химия)

Поляков А.В "Полиэтилен высокого давления. Научно-технические основы промышленного синтеза" (Высокомолекулярная химия)

Попова Л.А. "Производство карбамидного утеплителя заливочного типа" (Высокомолекулярная химия)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Высокомолекулярная химия -> Беднарж Б. -> "Светочувствительные полимерные материалы" -> 29

Светочувствительные полимерные материалы - Беднарж Б.

Беднарж Б., Ельцов А.В., Заковал Я., Краличек Я., Юрре Т.А. Светочувствительные полимерные материалы — Л.: Химия, 1985. — 296 c.
Скачать (прямая ссылка): photopolimers.djvu
Предыдущая << 1 .. 23 24 25 26 27 28 < 29 > 30 31 32 33 34 35 .. 139 >> Следующая

C2C12F4, CC1F3 [118, 122, 125] Au
Так как в качестве маски для плазменного травления используют в основном органические резисты, для достижения селективного травления протравливаемая поверхность материала и резисг должны обладать различной устойчивостью к плазме [126—128].
Определяющее значение при ПХТ или ИХТ имеет структура полимерного материала [127, 128] и присутствие в плазме кислорода [129]. Кислородная плазма может быть использована не только для удаления резиста с подложек, но и для проявления специальных резистов [130]. Скорость травления органических резистов повышается при использовании УФ-излучения, которое всегда сопровождает тлеющий разряд. Наименьшая скорость травления достигается для полимеров, макромолекулы которых содержат ароматические ядра [131]. Скорость травления полимерных материалов выше в плазме, которая одновременно содержит фторированные углеводороды и кислород [126], что можно объяснить образованием связи кислорода с реакционными центрами, возникающими при отщеплении атомов водорода фтором, и последующей окислительной деструкцией. Особенно сильно это проявляется в системе СР4/02.
При бомбардировке поверхности ионами, которая ведет к распылению ее материала, можно проводить анизотропное травление. Ионы с высокой энергией способны разрушить связи в кристаллической структуре подложки, вследствие чего протравливаемая
61
поверхность более легко поддается травлению активными частицами [132; пат. США 3873361]. Края рельефа остаются относительно незатронутыми: их травление активными частицами протекает значительно медленнее. Ток ионов и их энергия зависят прежде всего от формы реактора, состава и давления газа в реакторе и частоты тока. С этой точки зрения частота тока 1—10 кГц и давление газа около 40 Па оптимальны. Анизотропный характер имеет травление в присутствии газов, которые склонны к полимеризации, например С2Р6 [133; пат. США 3873361].
Для контроля плазменного травления предложен ряд методов: механическое измерение рельефа [126], интерферометрические методы [134], прямое измерение состава газовой фазы при помощи эмиссионных спектров [135], масс-спектрометрия [101, 136] и др. [137].
ИТ может быть основой создания разновидностей процесса сухого проявления, например, с использованием бомбардировки положительными ионами, обычно Аг+ с энергией 0,5—5 кВт [138], причем ионы с поверхностной энергией до 10 Вт/см2 могут реком-бинировать с электронами. Подложка со слоем резиста является составной частью мишени в области тлеющего разряда. При столкновении ионов с материалом подложки имеет место перенос моментов их движения на материал. При достаточной энергии ионов происходит деструкция молекул или ионов материала, разумеется, не всегда селективно. Так же протекает и ионно-химическое проявление [139], принцип которого подобен вышеописанному с той разницей, что плазма образована в среде химически активных газов.
После травления необходимо удалить слой резиста. Этот заключительный этап литографического процесса можно проводить в растворах, растворителях или в окислительной плазме. При этом важно не затронуть нижележащий слой подложки. Легкость удаления резиста сильно зависит от условий доотверждения, которые поэтому не должны быть жесткими. Растворители для снятия резиста следует подбирать с учетом характера поверхности, например, алюминиевые подложки легко подвергаются коррозии.
Для удаления слоев негативных резистов используют три-хлорэтилен, в котором сильно набухает большинство полимерных материалов, в сочетании с горячей серной кислотой, хромовой смесью или смесью серной кислоты и пероксида водорода. Для быстрого снятия защитных полимеров на основе ММА патентуется смесь метиленхлорида, метанола и метилформиата с небольшими добавками аминов [пат. США 4438192]. Удаление позитивных резистов осуществляется проще — с помощью ацетона, подогретых диметилформамида, метилэтилкетона, метилизобутилкетона, диоксана, смеси 2-пирролидона с целлозольвом [пат. США 4428871], бутилцеллозольва, смесей 2-пирролидона, диметилаце-тамида и 1,1-диоксида тетрагидротиофена [пат. США 4395479; 4403029], водного раствора ЫаОН после сплошного экспонирования УФ-светом. Имеет значение наличие ионов натрия в послед-
62
нем случае, поскольку свойства некоторых поверхностей меняются при миграции этих ионов. Неполное удаление резиста затрудняет дальнейшие операции, в частности термообработку подложек [16]. Позитивный хинондиазидный резист к!-13501 рекомендуется удалять в контролируемых условиях плазмой 02 с добавлением С2Р6 [140] (без С2Рб резист не удаляется). Резист МюгорогН ТМ-1470 хорошо удаляется раствором (МН4)23207 в Н2504 [141]; для снятия позитивных резистов рекомендуется раствор Н202 в Н2504 [ян. заявка 58-168239].
Направление ^подтравлибания -
1.8. АДГЕЗИЯ РЕЗИСТОВ К ПОДЛОЖКЕ
Для достижения высоких результатов всего литографического процесса необходимо обеспечить хорошую адгезию резиста к подложке на всех стадиях обработки. Зоны низкой адгезии могут возникать из-за загрязнений поверхности подложки [15]. Необходимым а условием хорошей адгезии является планарность подложки. Нерав-нота поверхности приводит к трудностям при удалении из углублений адсорбированного воздуха, который обусловливает возникновение локальных зон низкой адгезии. Жидкость вытесняет воздух с поверхности в том случае, если угол смачивания поверхности на границе
Предыдущая << 1 .. 23 24 25 26 27 28 < 29 > 30 31 32 33 34 35 .. 139 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама