Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Сидельковская Ф.П. "Химия N-вннилпирролидона и его полимеров" ()

Райт П. "Полиуретановые эластомеры" (Высокомолекулярная химия)

Сеидов Н.М. "Новые синтетические каучуки на основе этилена и олефинов" (Высокомолекулярная химия)

Поляков А.В "Полиэтилен высокого давления. Научно-технические основы промышленного синтеза" (Высокомолекулярная химия)

Попова Л.А. "Производство карбамидного утеплителя заливочного типа" (Высокомолекулярная химия)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Высокомолекулярная химия -> Беднарж Б. -> "Светочувствительные полимерные материалы" -> 30

Светочувствительные полимерные материалы - Беднарж Б.

Беднарж Б., Ельцов А.В., Заковал Я., Краличек Я., Юрре Т.А. Светочувствительные полимерные материалы — Л.: Химия, 1985. — 296 c.
Скачать (прямая ссылка): photopolimers.djvu
Предыдущая << 1 .. 24 25 26 27 28 29 < 30 > 31 32 33 34 35 36 .. 139 >> Следующая

Рис. I. 31. Схема подтравливаиия иа границе подложка — резист, обусловленного потерей адгезии:
а — система в ходе травления; б — система после снятия резистз; / — резист; 2 — диоксид кремния; 3 — кремний; 4 — контур рельефз Si02 при отсутствии подтрзвливзиня; d — голщннз исходного слоя.
трех фаз, измеренный в жидкой фазе, является наименьшим. Смачивание облегчается капиллярными силами и осложняется высокой вязкостью. Временной фактор не имеет выраженного действия [19].
Подтравливание на границе резист-подложка, обусловленное недостаточной адгезией, схематически изображено на рис. 1.31; показан и результирующий профиль. Количественная оценка степени подтравливания во время и в конце травления может быть сделана с помощью константы подтравливания fen, которая определяется следующим соотношением [142]:
*„=-l/?o In (Jx+ l)]l(dx-da)
(I 45)
где #0 — скорость травления 5Ю2 данным травильным раствором; Яо—(А— — й^Ц; 1Х — переменная величина бокового подтравливания в слое 5Ю2 при различных йх\ йх — переменная толщина БЮ^ в области подтравливания, Ах < ?5, й>\ й, — толщина вытравливаемого слоя 5Ю2, не защищенного ре-зистом.
63
При dx = d выражение (t. 45) переходит в (I 46):
fen = [ln(V„aKc+ (1.46)
где t — время травления.
Анализ профиля краев при использовании фоторезистов Waycoat 1С Kodai; [42] показал, что степень подтравливания зависит от [HF] и полярной компоненты поверхностного натяжения, но совсем не зависит от [Н30]+ [142]. Механическое напряжение в слое резиста может быть причиной дефектов из-за потери адгезии на поверхности, защищенной резистом [19].
Всякую гладкую поверхность можно характеризовать поверхностной энергией у, которая является мерой ван-дер-ваальсовых сил, действующих на поверхности. В величину у вносит вклад полярная компонента уп и неполярная компонента ул (дисперсионные силы). Адгезия, выраженная как работа адгезии Wa между тонкой пленкой и поверхностью материала, может быть определена по уравнению (1.47):
n7a=2(YrY2nr + 2(YfY2a)0'5 (1.47)
где Yi и уг — поверхностные энергии подложки и тонкого слоя [143].
Наибольшую адгезию, следовательно, можно ожидать, если компоненты поверхностной энергии подложки и тонкого слоя велики. В случае резистов из-за больших значений полярных компонент yj1 и адгезия уменьшается и происходит подтравли-
вание краев в сильноагрессивных (полярных) травильных системах.
Этот процесс, вероятно, усиливается взаимодействием полярных водных растворов травителей с поверхностью подложки резиста, которое вызывает отслаивание пленки резиста от подложки. К этому же приводит также набухание полимерной пленки (с уменьшением толщины пленки адгезия возрастает) и механическое напряжение в слое пленки. У негативных резистов у" = 1,0—2,6 кН/м, в то время как позитивные резисты характеризуются значениями уп == 6,0—10,6 кН/м. Значения уд Для обоих типов резистов лежат в интервале 30—33 кН/м [142, 143]. Существуют зависимости между смачиваемостью поверхности полимера и его температурой стеклования 7'с [144].
Поверхность Si02 имеет уп 32—43 кН/м (в зависимости от степени послеокислительной плазменной очистки). Таким образом, для улучшения адгезии целесообразно повысить гидрофобность поверхности SiOa для снижения значения уп. Для этой цели используются так называемые промоторы адгезии, или адгезивы, действие которых основано на гидрофобизации поверхности Si02. Среди них чаще всего применяются силазаны. Растворы этих веществ обычно в галогенированных растворителях наносят на поверхность Si02 непосредственно перед формированием слоя резиста. Силазаны содержат реакционноспособные функциональные группы Si—NH—которые реагируют с поверхностными молекулами
64
воды и силанольными группами, в то время как Si-алкильные группы взаимодействуют с пленкой резиста. Как адгезив преимущество имеет гексаалкилдисилазан, активный при комнатной температуре. Подобными обработками удается снизить уп поверхности Si02 до 4,8—16 кН/м [142] и повысить адгезию как негативных, так и позитивных резистов. Однако использование гек-саметилдисилазана и бис-N-(О-триметилсилилтрифторацетамида) для резистов AZ-1350J и AZ-111 способствует образованию вуали [145]. Модификация поверхности Si02 тетрахлоридом титана, который под действием влаги воздуха превращается в Тт02, образуя слой толщиной 2,5 нм, также существенно повышает адгезию резиста [146] и не оказывает отрицательного действия на дальнейшие операции.
Детальное изучение адгезии резиста к поверхности диоксида кремния показало [147], что общую проблему адгезии необходимо оценивать комплексно на всех стадиях литографического процесса.
В заключение следует отметить, что в целом для технологии важна воспроизводимость структурных элементов рельефа — критерий, называемый в англоязычной литературе Liiis width control. Требуемый размер элементов микрорельефа нужно удерживать в определенных пределах на всей площади подложки и в течение всего технологического процесса. На воспроизводимость элементов микрорельефа оказывают влияние набухание резиста, а также следующие факторы экспозиционных устройств: механическая стабильность системы, качество оптики, стабильность источника излучения, форма пучка излучения, размер элементов маски; и технологии: однородность и толщина слоя резиста, режим проявления, пред- и постэкспозиционнои термообработки и травления, условия плазменного удаления вуали.
Предыдущая << 1 .. 24 25 26 27 28 29 < 30 > 31 32 33 34 35 36 .. 139 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама