Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Сидельковская Ф.П. "Химия N-вннилпирролидона и его полимеров" ()

Райт П. "Полиуретановые эластомеры" (Высокомолекулярная химия)

Сеидов Н.М. "Новые синтетические каучуки на основе этилена и олефинов" (Высокомолекулярная химия)

Поляков А.В "Полиэтилен высокого давления. Научно-технические основы промышленного синтеза" (Высокомолекулярная химия)

Попова Л.А. "Производство карбамидного утеплителя заливочного типа" (Высокомолекулярная химия)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Высокомолекулярная химия -> Беднарж Б. -> "Светочувствительные полимерные материалы" -> 41

Светочувствительные полимерные материалы - Беднарж Б.

Беднарж Б., Ельцов А.В., Заковал Я., Краличек Я., Юрре Т.А. Светочувствительные полимерные материалы — Л.: Химия, 1985. — 296 c.
Скачать (прямая ссылка): photopolimers.djvu
Предыдущая << 1 .. 35 36 37 38 39 40 < 41 > 42 43 44 45 46 47 .. 139 >> Следующая

R(CH2)„SiR^(OR")m
R = аминогруппа или аминоалкил(С1 — С4) аминогруппа; R'= СН3, R(CH2)n; R" = AlkC! —С4; п = 1—3; р = 0, 1; m + р = 3.
Рекомендуется добавлять в резист примерно 5 % в расчете на сухой остаток жирных кислот — масляной, каприновой, азелаиновой, олеиновой и др. [пат. США 4036644]. При этом почти вдвое возрастает светочувствительность и резко улучшается край. С этой же целью вводят в композицию простые производные адамантана [пат. ЧССР 213016],, полигидрокси-а-метилстирол [европ. пат. 0095388]. Авторы пат. Великобритании 1451375 вводят в композицию примерно 1 % в расчете на сухой остаток 1-гидроксиэтил-2-алкил (С6 — Сш)-Д2-имидазолинов (Моназолинов), Alk С6 — Сю, что уменьшает число проколов в слое и пластифицирует его. Судя по краевому эффекту на Si02, они дают лучшие результаты, чем адгезивы бис(триметилсилил) ацетамид и гексаалкилди-силазаны. Следует отметить, что ПАВ не влияют на адгезию резиста к подложке.
Для повышения адгезии нефотолизованных участков слоя позитивного резиста к алюминиевым подложкам в композицию вводят от 0,5 до 5 % в расчете на сухой остаток потенциальных хелатообразователей, например, 2,3,4-три-гидроксибензофенона, 8-гидроксихинолина, 1,2,4-тригидроксиантрахинона, пур-пурогаллина, кверцетина, салициловой кислоты [пат. Великобритании 1561438; франц. пат. 2328985, пат. ФРГ 2547905]. При щелочном проявлении слой с такой добавкой почти не теряет массы в отличие от слоя, не содержащего ком-плексона. Аналогичный эффект, судя по данным, а. с. СССР 811195, вызывает и добавка уретанового эластомера СКУ-ПФП — продукта взаимодействия ди-изоцианата с простым или сложным эфиром:
NH2CORNHCOO-----OOCNH—R—CONH2
где R = —Ol—(СН2)4—О—]; m = 2 4- 5.
Минимальный уход размеров элементов изображения после травления подложки Si02, защищенной фоторезистом (0,3 мкм при толщине слоя резиста 0,8 мкм, микродефектность 2 дефекта/см2) зафиксирован в а. с. СССР 781745, что рассматривалось как косвенная оценка хорошей адгезии фоторезиста. Это достигалось введением в композицию нитровератрового альдегида в количестве, равном массе светочувствительного компонента — эфира 5-сульфокислоты 2-диазо-1-нафталинона и иодированного бисфенола А или тригидроксибензофе-нона или гидроксибензальдегида; резист стабилен в течение 8 мес.
Можно химически связывать кремнийорганический радикал с нафтохинон-диазидом и это сложное вещество будет выполнять одновременно функции адгезива И светочувствительного компонента [франц. пат. 2478641; см. также
87
пат. Великобритании 1367830];
|dso2oJ-^|-^or'oconhr"Sir'3"J
R П
где R = H, ОН, Alk, OAlkd —С4, C6H5C0; R" = Alkylen d — С6; R"'= = Alkoxyl Ci — C4, Cl, (CH3)2N, (C,H5)2N; R' = низший Alkylen или R""(OR)*,
O
где R"" = низший Alkylen, x = 1 ~- 10; D =
Между подложкой и резистом предлагается вводить промежуточные адгезионные слои. Они могут состоять из напыленного в вакууме металла (B?, Cd, Au, Pt) или ТЮ2. Это часто дорого и имеет ряд недостатков. В пат. Великобритании 1573785 такой слой толщиной 0,1—0,5 мкм состоит из отверждаемого уротропином полиглицидилового эфира полигидроксисоединения (бисфенола А, новолачной или резольной смолы и т. д.)—смешанного с бисфенолом А и ди-ацетоновым спиртом.
Повышение светочувствительности. Важнейшее свойство резистного слоя — светочувствительность. Грубо она определяется как минимальное время, необходимое для достижения оптимального эффекта экспонирования. Для повышения светочувствительности используют разнообразные приемы. По данным пат. США 3666474, с этой целью составляют композицию из двух НС — быстро и медленно растворяющихся при рН =g: 12. Вводят различные добавки. Так, в пат. США 3661982 описывается использование 0,5 % азотсодержащих гетеро-циклов (индола, хиназолина, тетразола и др.) в качестве повышающих светочувствительность добавок к нафтохинондиазидному фоторезисту. Однако их использование резко сужает допустимые пределы варьирования режимов обработок. Аналогичные недостатки, как известно, имеет и уменьшение содержания диазида в слое. Для повышения светочувствительности в композиции рекомендуется вводить моно- и дикарбоновые кислоты, в том числе пикриновую, никотиновую, нитрокоричную, в количестве до 5 % от массы полимера [пат. США 4009033]. Предложено вводить в композицию на основе нафтохинонди-азидного производного и крезольного новолака 4—8 % ангидрида циклической дикарбоновой кислоты—тетрагидрофталевой, малеиновой и др. [пат. ФРГ 2657922; США 4115128]; при этом оптимальное время экспонирования сокращается более чем в 3 раза. Однако и в этом случае снижается стойкость к обработкам, в частности к режиму проявления.
В пат. США 4307173 и пат. ФРГ 3123752 слой позитивного резиста для получения печатной формы или защитной маски в микроэлектронике создается, например, из 45 °/о трисэфира нафтохинондиазид-5-сульфокислоты и 2,3,4-три-гидроксибензофеиона, 0,8 % крезольного новолака, 2,65 % Желтого 3GLG и 21,2 % красителя Оразолового черного RL, 26,6 % фталевого ангидрида и 3,93 % га-толуолсульфокислоты; два последних соединения вводятся для повышения светочувствительности композиции. Здесь характерно большое количество добавляемого красителя.
Предыдущая << 1 .. 35 36 37 38 39 40 < 41 > 42 43 44 45 46 47 .. 139 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама