Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Сидельковская Ф.П. "Химия N-вннилпирролидона и его полимеров" ()

Райт П. "Полиуретановые эластомеры" (Высокомолекулярная химия)

Сеидов Н.М. "Новые синтетические каучуки на основе этилена и олефинов" (Высокомолекулярная химия)

Поляков А.В "Полиэтилен высокого давления. Научно-технические основы промышленного синтеза" (Высокомолекулярная химия)

Попова Л.А. "Производство карбамидного утеплителя заливочного типа" (Высокомолекулярная химия)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Высокомолекулярная химия -> Беднарж Б. -> "Светочувствительные полимерные материалы" -> 5

Светочувствительные полимерные материалы - Беднарж Б.

Беднарж Б., Ельцов А.В., Заковал Я., Краличек Я., Юрре Т.А. Светочувствительные полимерные материалы — Л.: Химия, 1985. — 296 c.
Скачать (прямая ссылка): photopolimers.djvu
Предыдущая << 1 .. 2 3 4 < 5 > 6 7 8 9 10 11 .. 139 >> Следующая

Рис. 2. Схема отдельного биполярного р—п—р -транзистора'.
/ — диоксид кремния; 2 — кремний; 3— эмнттер; 4 — база; 5 — коллектор.
Рис. 3. Принципиальный способ исполнения униполярного МДП-траизистора:
/ — исток; 2 — затвор; 3 — диоксид кремния; 4 — сток; 5 — кремний; 6 — область объемного
заряда полупроводника.
появлению р—«-переходов. Биполярный транзистор составлен из двух взаимосвязанных р—«-переходов, взаимодействие между которыми обеспечивает база (рис. 2). Эмиттер образован областью полупроводника с очень высокой концентрацией акцепторных примесей р++, база имеет значительную концентрацию доноров «+, а коллектор образован полупроводником с низкой концентрацией примесей в р-области. Присоединение проводников осуществляется при помощи омических контактов, р—«-Переход может быть использован для образования четырехполюсного электронного элемента, способного регулировать ток на выходе без потери мощности. Регулировка осуществляется приложением напряжения на входе, образованном р—«-переходом, включенном в непроводящем направлении. На рис. 3 изображена основная структура униполярного транзистора, управляемого объемным зарядом (6) и затвором на изолирующем слое 5Ю2 (3) подложки (МДП-транзи-сторы), реализованная в плоскости.
Соединение активных и пассивных элементов посредством проводников образует интегральную схему. Увеличение плотности размещения элементов схемы за счет уменьшения их размеров примерно до 104 на 1 мм2 (микроминиатюризация) дало толчок СтлДг^иу развитию электроники (микроэлектроника). В микробе для производства интегральных схем используется в
основном кремний, в частности, потому, что его диоксид образует изолирующий слой для последующего введения примесей в требуемые области кремния. Кроме диоксида кремния Si02 применяются и другие диэлектрики, например нитрид кремния Si3N4. Резкое увеличение плотности элементов оказалось возможным только в результате развития фотолитографии на базе использования фоторезистов. На кремниевую подложку со слоем диэлектрика наносят резист и проводят экспонирование. Так как схемы имеют малые размеры, то на каждой отдельной подложке одновременно изготовляют ряд схем, поэтому экспозиционная маска (шаблон) часто содержит соответствующее число изображений одного типа. На кремниевую подложку нанесены метки, предназначенные для точного совмещения маски перед экспонированием.
Полученное в результате фотолитографии рельефное изображение шаблона в слое резиста (негативное или позитивное), нанесенного на слой диоксида или нитрида кремния, находящийся на кремнии, служит защитной маской при вытравливании этих диэлектриков до кремния; в эти окна при последующих операциях идет диффузия примесей в кремний. При этом получают требуемые характеристики отдельных транзисторов и схемы в целом. Большая интегральная схема содержит десятки тысяч транзисторных элементов, соединенных проводниками: алюминием или поликристаллическим кремнием с высоким содержанием примесей. Для образования сложной интегральной схемы литографический процесс надо проводить несколько раз, при этом каждый элемент схемы должен быть воспроизведен с требуемой точностью [4].
Первая интегральная схема была изготовлена в I960 г. фирмами Fairchild Semiconductor и Texas Instruments (США). Результатом этого революционного открытия служит современное использование микроэлектронных устройств в вычислительной технике, приборах связи, медицинской аппаратуре, бытовой электронике и, к сожалению, в военной технике. Средний размер электронного элемента, составлявший в 1976 г. 8 мкм, снизился в 1982 г. до 2 мкм, а в 1985 г. предполагается производство субмикронных элементов [5].
Одно из новых направлений в электронике определяется развитием приборов с зарядовой связью (ПЗС). ПЗС состоит из систем электродов, размещенных на поверхности диоксида кремния, который нанесен на кремниевую подложку или получен на ней окислением. Изменение потенциала этих электродов образует в соответствующих областях кремния уровни потенциала. Каждый свободный заряд вблизи поверхности кремния находится на самом нижнем из доступных потенциальном уровне. Если потенциалы под соседними электродами разные, то заряд постепенно переносится к электроду, который имеет самый низкий уровень потенциала. Система тактовых импульсов, подаваемых поочередно на электроды, сдвигает этот уровень с низким потенциалом вдоль поверхности. Считываемый с последнего электрода сигнал поочередно приносит информацию о заряде под каждым электродом,
тем самым обеспечивая трансляцию записанной в виде заряда информации. Эта система часто требует субмикронных размеров (около 0,5 мкм) всех элементов. Создание электродов и их соединение может быть проведено только при помощи микролитографии. В ряде случаев отпадает необходимость диффузии, требуется лишь напыление металла на область электродов и соединений. С уменьшением размеров элементов интегральной схемы одновременно повышается их число на единице поверхности, возрастает функциональная емкость, причем цена микросхемы остается в среднем постоянной. В целом, следовательно, снижается цена отдельной функции. Такая тенденция выдвигает постоянно растущие
Предыдущая << 1 .. 2 3 4 < 5 > 6 7 8 9 10 11 .. 139 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама