Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Сидельковская Ф.П. "Химия N-вннилпирролидона и его полимеров" ()

Райт П. "Полиуретановые эластомеры" (Высокомолекулярная химия)

Сеидов Н.М. "Новые синтетические каучуки на основе этилена и олефинов" (Высокомолекулярная химия)

Поляков А.В "Полиэтилен высокого давления. Научно-технические основы промышленного синтеза" (Высокомолекулярная химия)

Попова Л.А. "Производство карбамидного утеплителя заливочного типа" (Высокомолекулярная химия)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Высокомолекулярная химия -> Беднарж Б. -> "Светочувствительные полимерные материалы" -> 6

Светочувствительные полимерные материалы - Беднарж Б.

Беднарж Б., Ельцов А.В., Заковал Я., Краличек Я., Юрре Т.А. Светочувствительные полимерные материалы — Л.: Химия, 1985. — 296 c.
Скачать (прямая ссылка): photopolimers.djvu
Предыдущая << 1 .. 2 3 4 5 < 6 > 7 8 9 10 11 12 .. 139 >> Следующая

ТАБЛИЦА 1. Ограничение интегральных схем, обусловленные физическими и литографическими факторами
Верхний предел Физические факторы Литографические факторы Нижний предел
Площадь кристалла 100 мм2 Частота операций 500 ГГц Скорость света Скорость носителей заряда Длина свободного пробега носители заряда Длина волны экспозиционного света Длина волны электрона Поверхостная концентрация примесей в полупроводнике Ширина линий от 1 до 2 мкм Ширина линий от 1 до 2 нм Ширина п — р-перехо-да 10 нм Минимальный объем активного элемента полупроводника 0,1 мкм3
требования к достижениям физики, созданию масок и схем, а следовательно, и к литографии [6].
Плотность размещения элементов схемы и размер интегральных схем на основе кремния ограничены физическими и литографическими факторами, из которых одни определяют нижнюю, а другие верхнюю, границу (табл. 1). Так как указанные физические пределы до сих пор еще не достигнуты в реальных устройствах, «кремниевая технология» может развиваться и далее в сторону микроминиатюризации. В оптоэлектронике размер объемных элементов структур может быть значительно меньше указанных и приближается к молекулярным; их можно создавать также с помощью литографии.
В современных промышленных устройствах для экспонирования используется свет с длиной волны 360—430 нм; из-за его дифракции предел разрешения составляет около 1 мкм. Так как уменьшение размеров элементов приводит к росту информационной емкости схемы, то усилия исследователей направлены на повышение разрешающей способности литографии. Дифракция довольно существенно снижается с уменьшением длины волны света, поэтому в последние годы разрабатывается экспонирование УФ-светом с длиной волны до 210 нм [коротковолновая УФ-лито-графия (гл. VI)]. Далее используют двух- и трехслойные резист-
12
ные системы, в которых нижний слой планаризует, а верхний тонкий слой служит для экспонирования (гл. VIII). Эти методы имеют то достоинство, что с помощью существующей аппаратуры и приемов работы удается достичь разрешения менее 1 мкм.
Дальнейшим шагом по пути уменьшения длины волны экспозиционного пучка (и предела разрешения) явился переход к электронной, рентгеновской и ионной литографии. Все виды литографии объединяют термином актинолитография. При экспонировании пучком электронов экспериментально достигнуто разрешение 0,1 мкм, а рентгеновским излучением — 0,02 мкм. Новые виды актинолитографии требуют создания, освоения и использования дорогостоящего оборудования, что приводит к большим капиталовложениям [7].
Литографические свойства резиста определяются рядом факторов (гл. I). Полимеры для негативных фоторезистов обычно линейны, их ММ 103—106. Из их растворов в летучих растворителях формируют на подложке пленки микронной и субмикронной толщины. Необходимо, чтобы светочувствительный компонент поглощал в области эмиссии используемого источника света, а изменение физико-химических свойств пленки, требуемое для создания различий в свойствах экспонируемых и пеэкспонируемых участков в расчете на 1 квант света, было как можно большим, так как оба фактора определяют время экспонирования. Полимерный рельеф должен иметь хорошую адгезию к подложке, чтобы исключить подтравлнвание краев при последующих операциях травления подложки (растворами сильных кислот или щелочей), а также уменьшить пористость слоя.
Несколько типов фоторезистов образуют базу традиционной фотолитографии. Еще в 1852 г. запатентовано [пат. Великобритании 565] использование смеси бихроматов с желатиной; экспонирование такого слоя светом делает освещенные места нерастворимыми в воде, они служат печатающими элементами в малотиражной факсимильной печати. Материалы этого типа («хромированные коллоиды») применяются и сегодня, непрерывно совершенствуясь в связи с новыми областями применения. Затем были использованы и другие негативные резисты, разработанные А. Мури в 1931 г. Вначале светочувствительная система основывалась на фотодимеризации коричной кислоты и ее производных в матрице природных пленкообразующих смол (копала, кумароновых и других подобного типа), использовавшихся для предотвращения кристаллизации коричной кислоты. Эфиры коричной кислоты и поливинилового спирта [пат. США 2725372, 2690966] явились первым типом нового поколения фоторезистов, появившихся на международном рынке в 1953 г., —KPR (Kodak Photo Resist) (гл. IV). В 1950 г. были описаны позитивные резисты на основе о-хинон-диазидов и новолачных смол [пат. Великобритании 708384] (гл. II), а в 1955 г. —негативные резисты, образование рельефа которыми основано на сшивании природного и синтетического
13
каучука диазидами [пат. Великобритании 767985] (гл. V). Известны и другие резисты.
Резисты можно разделить на 2 группы. У резистов первой группы фотолиз низкомолекулярного компонента вызывает химические изменения в полимерной составляющей (инициирует полимеризацию, сшивает или деструктирует полимеры и т. д.). У резистов второй группы низкомолекулярный светочувствительный компонент действует как ингибитор растворения и его фотолитическое превращение ведет к повышению скорости растворения полимерного компонента. В обоих случаях между двумя компонентами фоторезиста осуществляется тесное взаимодействие.
Предыдущая << 1 .. 2 3 4 5 < 6 > 7 8 9 10 11 12 .. 139 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама