Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Сидельковская Ф.П. "Химия N-вннилпирролидона и его полимеров" ()

Райт П. "Полиуретановые эластомеры" (Высокомолекулярная химия)

Сеидов Н.М. "Новые синтетические каучуки на основе этилена и олефинов" (Высокомолекулярная химия)

Поляков А.В "Полиэтилен высокого давления. Научно-технические основы промышленного синтеза" (Высокомолекулярная химия)

Попова Л.А. "Производство карбамидного утеплителя заливочного типа" (Высокомолекулярная химия)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Высокомолекулярная химия -> Беднарж Б. -> "Светочувствительные полимерные материалы" -> 69

Светочувствительные полимерные материалы - Беднарж Б.

Беднарж Б., Ельцов А.В., Заковал Я., Краличек Я., Юрре Т.А. Светочувствительные полимерные материалы — Л.: Химия, 1985. — 296 c.
Скачать (прямая ссылка): photopolimers.djvu
Предыдущая << 1 .. 63 64 65 66 67 68 < 69 > 70 71 72 73 74 75 .. 139 >> Следующая

Оптическая плотность ^ 2 ^> 2 1,9 >2 1,9 1,2
В 1981 г. предложено использовать в фотомаскирующем элементе два слоя [яп. заявка 56—44415]: светочувствительный слой состоит из диазидобензилиден- или диазидоциннамалиденкетонов с высокой оптической плотностью, а сверху его покрывают клейким твердым защитным слоем, прозрачным к УФ-свету. Защитный слой практически не пропускает кислород, что способствует усилению взаимодействия арилнитренов с полимерами.
В композиции, чувствительные к излучению с длинами волн до 600 нм, рекомендуется [яп. заявка 57—59954] вводить 1,5- или 1,8-бис(я-азидобензоилокси)антрахиноны; они содержат циклокау-чук или стирол-бутадиеновый каучук, растворителем служит смесь толуола, хлорбензола, тетрагидрофурана (50:30:20). Такие фоторезисты можно использовать в проекционной фотолитографии.
Среди композиций азидсодержащих фоторезистов более 20 последних лет разрабатываются составы [пат. США 2940853], включающие диазидобензилиденовые производные кетонов, чаще других диазида I и диазида II. Использование этих слоев обусловлено их спектральной чувствительностью (Ямакс 350—360 нм) в области максимальной эмиссии ртутных ламп, высоким квантовым выходом фоторазложения, в том числе и в полимерных матрицах, легкой совместимостью с полимерными матрицами. Полиизопреновый циклокаучук был первым пленкообразующим веществом, предложенным для слоев; содержащих диазиды I и II. Широкое распространение этих составов вызвано универсальностью их применения: они используются в полупроводниковом приборостроении, производстве интегральных схем (ИС, БИС, СБИС), при создании печатных плат и офсетных печатных форм. Именно эти составы легли в основу ряда промышленных марок фоторезистов: ФН-Н, ФН-Пк, КМЕИ, КТЕР,, 5СИ-2, РБК, ОМИ-83 и т. д.
При прочих равных условиях эффективность сшивания полимера очень сильно зависит от небольших изменений в его целях. Так, с помощью методов золь-гель-фракционирования и равновесного набухания установлено, что при сшивании диазидом I эпокси-Дированного циклополиизопрена частота возникновения поперечных мостиковых связей в 2—3 раза больше, чем у аналогичных составов на основе циклополиизопрена [42].
В ряде патентных разработок последних лет по-прежнему основой азидсодержащих фоторезистов являются диазид I и циклокаучук. В то же время предлагаются различные способы совершенствования качества фоторезистного слоя. Эксплуатационные характеристики рекомендуется улучшать, применяя строгие критерии отбора циклокаучуков (по содержанию двойных связей,
145
степени циклизации и пр.), используя другие типы циклизованных полидиенов или вводя добавки, регулирующие свойства полимера в процессе циклизации. Другой путь улучшения фоторезиста — дополнительное включение в него соединений, способных повышать, например, контрастность слоя или нейтрализовать эффекты стоячих волн в фоторельефе. Наконец, для фоторезистов, содержащих тот же диазид I, предлагаются другие типы полимеров, позволяющие перейти либо к водно-щелочному проявлению, либо к высокой гидрофобности рельефа, либо даже к дифференциации свойств слоев после фотолиза диазида, т. е. к сухому переносу изображения. В большинстве предлагаемых композиций соотношение диазид : циклокаучук: растворитель лежит в пределах 3-i-5:100: :700Ч- 1000.
В 1972 г. проанализированы свойства фоторезистов с учетом соотношения в циклизованном ц«с-1,4-полиизопрене со средними размерами молекул 400—550 нм циклизованных и нециклизован-ных звеньев, двойных связей, входящих в цикл и в открытую цепь, а также предложена зависимость этих соотношений в полимере от содержания диазида I в слое [пат. ФРГ 2153781], дающая оптимальный состав. При использовании найденного оптимального состава фоторезиста обеспечивается надежное получение высокораз-решенного фоторельефа на различных подложках. Фирмой Hunt (США) для азидсодержащих композиций разрабатываются цикло-каучуки с узким ММР, полидисперсностью менее 1,865 и ненасыщенностью 6,0—8,2 ммоль/г [европ. пат. 0063043].
Сочетание высокой разрешающей способности, адгезии к подложке, кислотостойкости (практически последние два свойства и определяют резистивность состава) отмечены в фоторезисте на основе эпоксидированного циклополиизопрена и диазида I [а. с. СССР 398916]. Кроме того, этот состав после фотолитографии обладает высокими диэлектрическими свойствами, что позволяет использовать фоторельеф в качестве межслойной изоляции многослойного печатного монтажа. Электрофизические параметры слоя и резистивность фоторезиста в значительной мере обусловлены высокой плотностью пространственной сетки, возникающей на фото-и термозадубленных участках слоя.
Использование в качестве полимерной основы фоторезистов циклизованных полимеров представляется чрезвычайно перспективным— в них эффективен фотолиз азидов и темновые реакции нитренов, структурирующих циклокаучуки, таким образом, интегральная светочувствительность фоторезистов достаточно высока. Циклокаучуки, обладая малой ММ, дают твердые и плотные пленки, они позволяют после экспонирования создать высокоразрешен-ные рельефы. В азидсодержащих фоторезистах для коротковолнового УФ-света (WR-резистов), полученных на основе циклокаучу-ков, разрешение достигает субмикронных размеров. Кроме того, именно фоторезисты на основе циклокаучуков и диазидов в настоящее время являются одними из наиболее плазмостойких (например, состав OMR 83, Япония], В циклокаучуки легко вводить раз-
Предыдущая << 1 .. 63 64 65 66 67 68 < 69 > 70 71 72 73 74 75 .. 139 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама