Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Сидельковская Ф.П. "Химия N-вннилпирролидона и его полимеров" ()

Райт П. "Полиуретановые эластомеры" (Высокомолекулярная химия)

Сеидов Н.М. "Новые синтетические каучуки на основе этилена и олефинов" (Высокомолекулярная химия)

Поляков А.В "Полиэтилен высокого давления. Научно-технические основы промышленного синтеза" (Высокомолекулярная химия)

Попова Л.А. "Производство карбамидного утеплителя заливочного типа" (Высокомолекулярная химия)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Высокомолекулярная химия -> Беднарж Б. -> "Светочувствительные полимерные материалы" -> 81

Светочувствительные полимерные материалы - Беднарж Б.

Беднарж Б., Ельцов А.В., Заковал Я., Краличек Я., Юрре Т.А. Светочувствительные полимерные материалы — Л.: Химия, 1985. — 296 c.
Скачать (прямая ссылка): photopolimers.djvu
Предыдущая << 1 .. 75 76 77 78 79 80 < 81 > 82 83 84 85 86 87 .. 139 >> Следующая

Производные диметилмалеинимида с различными функциональными группами могут реагировать с ПВС, сополимерами метил-метакриловой кислоты, расширяя круг диметилмалеинимидных сополимеров.
С увеличением ММ полимера светочувствительность слоев на его основе заметно возрастает, оптимальной считается ММ 150 000.
175
174
В сополимере, например, следующего состава
соон
-Ы- VI -Ы-
осн3 /=о ОСЩ О^у^О
содержание звеньев, этерифицированных малеинимидом, заметно влияет на относительную интегральную светочувствительность слоя. Так, в относительных единицах, светочувствительность при постоянном соотношении яг/(яг -+- я + /) = 0,5 для полимера с я/(яг + я + /) = 0,5 равна 11. Она уменьшается вдвое (5,5) при я/(яг -+- я -+- /) = 0,25 и //(яг + я +/) = 0,25 и становится еще ниже (1,5) для соотношений звеньев в полимерной цепи п/(т-\-+ п + /)== 0,125 и //(яг+ я +/)==0,375 [34].
Фотохимическая реакция циклопропеновых производных, замещенных алкильными или арильными группами в 1- или 1-, 2-поло-жениях, ведет к димеризации с образованием трициклогексанов и циклопропилциклопропенов, что подтверждено изучением модельных соединений [35]:
С6Н8 С6Н5
с„н
б"5
Фотоструктурирование полимерных циклопропеновых производных, например 1,2-дифенил- или 1,2-дипропилциклопропенкарб-оксилатов ПВС, происходит в 5—10 раз быстрее, чем поливинил-циннаматов. Возможно включение в композиции фоторезистов в качестве сенсибилизаторов кетона Михлера или бензофенона [31],
176
На основе 1,2-дифенилциклопропенов созданы промышленные композиции фоторезистов [35].
В настоящее время составы фоторезистов, в которых под действием света проходит циклодимеризация полимерного компонента, продолжают использоваться в производстве печатных плат и полупроводниковых приборов. Особенно следует отметить их применение в защитных масках печатных плат, создаваемых под пайку навесных элементов из олова или свинца. Это, а также их использование в двухслойных вариантах светочувствительных покрытий способствует сохранению устойчивого интереса к циклодимеризую-щимся системам. Число патентных разработок последних лет в этой области фоторезистов невелико, однако теоретическое изучение фотоциклодимеризации в растворах и слоях проводится довольно интенсивно, что позволяет надеяться на создание новых ценных композиций фотодимеризующихся резистов.
Глава VI
ФОТОРЕЗИСТЫ РАЗЛИЧНОГО НАЗНАЧЕНИЯ
VI. 1. ФОТОРЕЗИСТЫ ДЛЯ КОРОТКОВОЛНОВОГО УФ-СВЕТА
Фотолитография в области глубокого (коротковолнового)' УФ-света рассматривается в микроэлектронике как техника ближайшего будущего. Впервые этот метод был предложен в 1975 г. Линном, который использовал в качестве позитивного резиста ПММА [1]. Теперь круг таких материалов, так называемых резистов \УРч или «белых» резистов дополнен резистами для среднего УФ-света (270—320 нм) (например, позитивный резист \VX-159 [2]; негативный резист НХ-303 [3]). Предлагается использовать композиции на основе разнообразных групп светочувствительных веществ. Эти композиции непрерывно совершенствуются и в связи с актуальностью разработки ведутся в разных направлениях одновременно.
Наряду с обычными свойствами резист для глубокого УФ-света должен не только хорошо поглощать свет в области коротковолнового УФ-света (210—270 нм), но и не иметь поглощения в более длинноволновой области. Последнее избавляет от необходимости решать сложную задачу фильтрации актинкчного длинноволнового света в спектре источника экспонирования. Одновременно для экспонирования в этой области разрабатываются специальные методы и источники света [4], применяются эксимерные лазеры [5]. Поскольку кванты света в коротковолновом УФ-свете несут примерно в 2 раза больше энергии, чем на грани видимой области спектра, то для сокращения энергозатрат и уменьшения нагревания слоев при экспонировании важно сильно повысить светочувствительность композиций по сравнению с «обычными» резистами.
177
VI. 1.1. Позитивные фоторезисты
ПММА и его простые аналоги обладают полосой поглощения ниже 190 им и полосой при 215 им (п->-я* группы СО) с амаКс = = 0,27 -т- 0,47 мкм-1, благодаря чему УФ-свет в этой области глубоко проникает в микронный слой ПММА; с полосой при 215 им совпадает и максимум спектральной чувствительности слоя ПММА [6]. При контактной печати одномикронных или более тонких слоев ПММА с Л?ш, = 9-105 и Мш/Мп = 3,04 и его аналогов на ЗЮг/^И с помощью источника коротковолнового УФ-света, последующем проявлении метилизобутилкетоном, бутилацетатом или быстродействующим целлозольвацетатом (а также смесями этих растворителей с другими) удается получить исключительно высоко разрешенный позитивный рельеф с АЙ = 5, например, с шириной линий 0,6—1 мкм и интервалом между ними 0,3 мкм. Время экспонирования уменьшается на 13%, если поглощающий коротковолновый УФ-свет кислород отдуть азотом.
Очевидно, под действием УФ-света, как и более энергетически емкого излучения, у ПММА и его простых аналогов идет деструкция основной цепи полимера до простых фрагментов, что и приводит к растворимым низкомолекулярным веществам [7, 8].
Предыдущая << 1 .. 75 76 77 78 79 80 < 81 > 82 83 84 85 86 87 .. 139 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама