Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Сидельковская Ф.П. "Химия N-вннилпирролидона и его полимеров" ()

Райт П. "Полиуретановые эластомеры" (Высокомолекулярная химия)

Сеидов Н.М. "Новые синтетические каучуки на основе этилена и олефинов" (Высокомолекулярная химия)

Поляков А.В "Полиэтилен высокого давления. Научно-технические основы промышленного синтеза" (Высокомолекулярная химия)

Попова Л.А. "Производство карбамидного утеплителя заливочного типа" (Высокомолекулярная химия)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Высокомолекулярная химия -> Беднарж Б. -> "Светочувствительные полимерные материалы" -> 85

Светочувствительные полимерные материалы - Беднарж Б.

Беднарж Б., Ельцов А.В., Заковал Я., Краличек Я., Юрре Т.А. Светочувствительные полимерные материалы — Л.: Химия, 1985. — 296 c.
Скачать (прямая ссылка): photopolimers.djvu
Предыдущая << 1 .. 79 80 81 82 83 84 < 85 > 86 87 88 89 90 91 .. 139 >> Следующая

Известно, что ониевые соли с комплексными анионами при фотолизе выделяют кислоты Бренстеда, которые катализируют полимеризацию эпоксидов, конденсацию феноло- и меламино-формаль-дегидных и других смол, что используется при создании высокочувствительных негативных резистов (см. раздел III. 2). Кривелло предлагает с помощью таких кислот осуществлять кислотокатали-зируемый гидролиз как боковых фрагментов, так и основных цепей полимеров, например поликарбонатов. Очевидна возможность создания позитивных резистов на этой основе. Преимущество таких систем заключается в том, что они потенциально могут иметь термическое усиление: одна молекула фотохимически генерируемой кислоты может гидролизовать несколько связей (если кислота при этом не связывается); в результате будет повышаться светочувствительность композиции [26] (см. раздел VI. 2). Соли диарил-иодония, триарилсульфония, диалкилфенацилсульфония и другие— идеальные светочувствительные компоненты резистов для коротковолнового УФ-света, поскольку они поглощают свет с длиной волны менее 300 нм. Ито и Вильсон использовали это при разработке фоторезистной композиции для коротковолнового УФ-света [27]. Ими был получен на силиконовой подложке из раствора в циклогексаноне слой толщиной 1,25 мкм поли-п-трет-бутоксикарбонилгидроксистирола с 20 % (масс.) гексафторарсе-ната дифенилиодония. Его выдерживали в течение 30 мин при 100 °С, экспонировали линией 254 нм ^-лампы и выдерживали
185
184
10 с при 100 °С. При фотолизе соли иодония выделяется HAsF6, которая каталитически во время термолиза расщепляет грег-бут-оксигруппы, при этом резко повышается полярность полимера. Благодаря этому удается создать «блестящий высокоразрешенный рельеф», позитивный, если проявлять полярным проявителем (или водным основанием), и негативный, если проявлять неполярным проявителем, например смесью дихлорметана и гексана (2:1). Могут быть использованы поли-грег-бутилметакрилат, поли-грег-бутил-я-винилбензоат, поли-грег-бутил-я-изопропенилфенилгидр-оксиацетат; вместо соли иодония — другие ониевые соли (см. раздел Ш. 2), лучше всего гексафторарсенат трифенилсульфония. Систему можно использовать как электронорезист (см. гл. VII).
VI. 1.2. Негативные фоторезисты
Наряду с позитивными резистами для глубокого УФ-света рекомендуют применять и негативные резисты. Фотолиз в области 254 им 2,б-бис(«-азидобензилиден)-4-метилциклогексанона (диа-зида I) и композиций на его основе позволяет генерировать ди-нитрены и отверждать полимеры. Поэтому на основе полиметил-изопропенилкетона и диазида I создан хороший негативный резист для коротковолнового УФ-света; проявление осуществляют плазмой CF4—02 (сухой резист) [29]. Однако светочувствительным компонентом в большинстве таких материалов служат неполностью сопряженные ароматические диазиды, а высокомолекулярной основой — циклизованный полиизопрен, поли-я-гидроксистирол, НС и другие полимеры (ср. гл. IV). В работе [28] и в патенте ФРГ 2948324 описаны композиции из циклополиизопрена (ММ« 150 000, степень циклизации 75%), полибутадиена, полиизопрена, поли-хлоропрена, ПС, полиамида, НС, поливинилфенола, ПВБ и 1—3 % диазидов (п-ЫзСбН4)2Х, (где Х= СН2, О, S—S, S, S02) и некоторых ДруГИХ, ИМеЮЩИХ Амакс не более 284 нм.
В отличие от композиций с диазидом I и другими сопряженными диазидами, указанные системы нечувствительны к кислороду, а из-за их спектральных свойств работа с ними может проводиться целиком при обычном дневном освещении помещений. Нанесение композиции на SiOj/Si и проявление экспонированного Хе—Hg-лампой слоя проводят с помощью органических растворителей; диазидодифенилсульфид придает слою светочувствительность, в сотни раз превышающую светочувствительность ПММА, она приближается к светочувствительности сенсибилизированного поли-метилизопропенилкетона и обычных негативных фоторезистов. Однако разрешающая способность резиста мала, она ограничена деформациями, вызываемыми набуханием слоя при проявлении. Набухание, а следовательно, и деформации отсутствуют при проявлении щелочью экспонированных композиций азидов и полимеров с арилгидроксигруппами, что обеспечивает субмикронное разрешение. Поэтому предлагается использовать для глубокого УФ-света резист MRS-1 из поли-п-гидроксистирола и 20 % раство-
186
римого в полимере 3,3'-диазидодифенилсульфона [30]. Диазид имеет полосу поглощения при 240 нм, полимер — при 280 нм, в целом далее 320 нм слой резиста свет не поглощает, что отвечает требованиям к таким резистам. В отличие от системы НС — хинон-диазид и других аналогичных композиций, 3,3'-диазидодифенил-сульфон не влияет на растворимость полимера в проявителе — водном растворе (CH3)4NOH. Поскольку резист интенсивно поглощает свет и после экспонирования его спектр меняется мало, очевидно, что в микронном слое сшивание полимера идет интенсивно только с поверхности. Поэтому проявление неполностью сшитого в объеме слоя полимера может рассматриваться как своеобразное травление. С ростом продолжительности проявления возрастает и подтравливание, профиль края рельефа приобретает вид, типичный для взрывной литографии (см. гл. VIII). Очевидно, при проявлении надо тщательно соблюдать оптимальные условия. Светочувствительность резиста MRS-1 в 100 раз выше, чем у ПММА, что при высоком разрешении и хорошей стойкости к плазменному травлению открывает перспективы его практического использования.
Предыдущая << 1 .. 79 80 81 82 83 84 < 85 > 86 87 88 89 90 91 .. 139 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама