Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Сидельковская Ф.П. "Химия N-вннилпирролидона и его полимеров" ()

Райт П. "Полиуретановые эластомеры" (Высокомолекулярная химия)

Сеидов Н.М. "Новые синтетические каучуки на основе этилена и олефинов" (Высокомолекулярная химия)

Поляков А.В "Полиэтилен высокого давления. Научно-технические основы промышленного синтеза" (Высокомолекулярная химия)

Попова Л.А. "Производство карбамидного утеплителя заливочного типа" (Высокомолекулярная химия)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Высокомолекулярная химия -> Беднарж Б. -> "Светочувствительные полимерные материалы" -> 86

Светочувствительные полимерные материалы - Беднарж Б.

Беднарж Б., Ельцов А.В., Заковал Я., Краличек Я., Юрре Т.А. Светочувствительные полимерные материалы — Л.: Химия, 1985. — 296 c.
Скачать (прямая ссылка): photopolimers.djvu
Предыдущая << 1 .. 80 81 82 83 84 85 < 86 > 87 88 89 90 91 92 .. 139 >> Следующая

В композиции одного из диазидов (о-Ы3СбН4)2Х (где Х = СН2, СН2СН2), («-N3C6H4)2X (где Х = СН2, СО, COCO, СООСН2СН2СН2ООС) (ж-Ы3С6Н4)2Х (где X = О, СН=СН) и НС, полученной из 85 % о-крезола и 15 % 2-7,ре7,-бутилфенола (ММ 5000 -г- 6000) спектр поглощения светочувствительного компонента (Ямакс = 250 -т- 265 нм) аналогично кислоте Мельдрума совпадает с «окном» в спектре НС. Благодаря этому удается в местах экспонирования светом с длиной волны 250—265 нм отвердить слой толщиной 1 мкм динитреном из диазида и создать после проявления 0,1—0,2 н. водным раствором щелочи высокоразрешенный контрастный рельеф [заявка Великобритании 2079481А; франц. пат. 2486259].
VI. 2. СУХИЕ ФОТОРЕЗИСТЫ
Перспективной для использования в производстве ИС является «сухая микролитография», при которой не используются жидкие реактивы. Она должна способствовать повышению качества и выхода приборов, упрощению технологии и повышению ее уровня. Сухая микролитография заключается в сухом нанесении резиста (например, сублимацией или путем синтеза полимерной пленки из мономеров на подложке), сухом проявлении (например, экспозиционном, термическом, плазменном), сухом травлении подложки и удалении резиста. Две последние операции удается провести с помощью плазмы, две первые находятся в стадии интенсивной разработки. Хотя изучается применимость существующих резистов или их модификаций в новой технологической цепи, очевидна необходимость разработки новых материалов для всего цикла сухой литографии и усовершенствования ее методов [31]. ~1
В литературе в качестве проявляемых без применения растворителей резистов, названных в настоящей главе сухими, были впервые описаны полиолефинсульфоны, которые при экспонировании разрушаются до летучих компонентов и дают позитивное изображение схемы на подложке [32—34]. В качестве сухих рентгеноре-зистов описаны также полиметакрилонитрил и близкие по строению полимеры [35], смеси на основе поли-2,3-дихлор-1-пропил-акрилата и Ы-винилкарбазола [36].
Разрабатываются новые сухие фоторезисты (см. например [37]). Достичь сухого проявления удается в основном в тех случаях, когда при экспонировании пленкообразующий полимер распадается на легко летучие фрагменты (позитивный рельеф) или когда экспонированные и неэкспонированные участки слоя сильно различаются по стойкости к обработке плазмой [38]. Наиболее чувствителен к травлению плазмой СР4— 02 (95:5) ПММА, наименее— резисты на основе циклополиизопрена и диазидов; НС, совмещенные с хинондиазидами, более чувствительны, чем диазидные композиции [39].
Описан высокочувствительный однокомпонентный материал, являющийся акрильным сополимером с кр^мнийсодержащими боковыми группами; последние отщепляются при экспонировании светом с длиной волны 254 нм слоя резиста. Эти участки более чувствительны к кислородной плазме, чем неэкспонированный крем-нийсодержащий полимер, что позволяет создать позитивный рельеф при травлении. Резист рекомендован и для работы по двухслойной схеме как верхний слой на полиимиде [40; пат. США 4433044]. В качестве сухого резиста изучена композиция из 4,4'-диазидодифенилсульфида _и полиметилизопропилкетона с Мш = = 300 000, М„ = 560 000, Ма1/Мп = \,70; слой толщиной примерно 1 мкм создается из раствора в циклогексаноне. Экспонируют коротковолновым УФ-светом, термолизуют при 140°С в течение 30 мин, при 100 °С обрабатывают плазмой. Рельеф имеет толщину 0,66 мкм в результате стравливания части слоя, отличается субмикронным разрешением, четким краем, что нетипично для негативных резистов, обычно набухающих в проявителях.
В пат. ФРГ 3112196 А1 предложена композиция из 20% от массы полимера бисазидов [3-(или 4-)Ы3С6Н3Рч] 2Х (где И = Н, На1; X = О, СО, СН2, Б, 8—Б, Б02) и одного из следующих полимеров: ПММА, ПБА, полиметилизопропенилкетон, полиизопро-пилвинилкетон, полифенилвинилкетон, сополимер изопропилвинил-кетона и метилвинилкетона, бутилакрилата и метилакрилата с ММ от 100000 до 2 000000. Ее наносят из органического растворителя на кремниевую подложку, сушат, получают слой толщиной примерно 1 мкм, экспонируют светом с длиной волны 250—300 нм, выдерживают при 140—160 °С в течение 20—30 мин. В экспонированных участках диазид, переходя в динитрен, сшивает полимер (см. гл. IV), при термолизе диазид возгоняется из неэкспонированных частей слоя. Проявляют рельеф кислородной плазмой в течение нескольких минут. Успех проявления зависит от режима обработ-
ав
кн. Стравливается весь слой в неэкспонированных зонах и часть поверхностных слоев в экспонированных. Затем проводят травление подложки плазмой СР4— 02 по рисунку резиста и наконец стравливают маску резиста. Таким образом, начиная с экспонирования, все обработки проводят без применения растворителя. Преимущества такого процесса очевидны: достигается высокое разрешение, не вносятся загрязнения в изделия, используется автоматическая аппаратура.
Сводка японских патентов по сухим резистам приведена в работе [39], авторы которой считают эти разработки мало пригодными для практики (см. также [29]).
Поли-1-бутенсульфон, как и другие полиолефинсульфоны, нечувствителен к УФ-свету. В тонкой пленке на силиконе в смеси с 20 % сенсибилизатора — Ы-окиси-я-нитропиридина после выдержки при 100 °С в течение 15 мин его удается экспонировать лампой среднего давления при дозе 0,1 Дж/см2. Проявление осуществляют за 7 мин при 100°С, выделяется 1-бутен и 502, стало быть, идет деполимеризация. Система представляет принципиальный интерес, поскольку непригодна для сухого травления [19].
Предыдущая << 1 .. 80 81 82 83 84 85 < 86 > 87 88 89 90 91 92 .. 139 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама