Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Сидельковская Ф.П. "Химия N-вннилпирролидона и его полимеров" ()

Райт П. "Полиуретановые эластомеры" (Высокомолекулярная химия)

Сеидов Н.М. "Новые синтетические каучуки на основе этилена и олефинов" (Высокомолекулярная химия)

Поляков А.В "Полиэтилен высокого давления. Научно-технические основы промышленного синтеза" (Высокомолекулярная химия)

Попова Л.А. "Производство карбамидного утеплителя заливочного типа" (Высокомолекулярная химия)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Высокомолекулярная химия -> Беднарж Б. -> "Светочувствительные полимерные материалы" -> 89

Светочувствительные полимерные материалы - Беднарж Б.

Беднарж Б., Ельцов А.В., Заковал Я., Краличек Я., Юрре Т.А. Светочувствительные полимерные материалы — Л.: Химия, 1985. — 296 c.
Скачать (прямая ссылка): photopolimers.djvu
Предыдущая << 1 .. 83 84 85 86 87 88 < 89 > 90 91 92 93 94 95 .. 139 >> Следующая

Поскольку хинондиазиды мало устойчивы в присутствии кислот, в композицию с «обычным» хинондиазидом вводят полиамидо-
JD4
фенол, полученный из изофталоилхлорида и 4,4'-диамино-3,3'-ди-гидроксидифенила или -дифенилового эфира. При этом понижается общая кислотность системы и изменяется структура термостойкого полимера, образующегося при нагревании рельефа:
При использовании композиции из абиетинильного хинондиазида и того же полиамидофенола были получены микрорельефы, выдерживающие температуру до 550 °С.
Несмотря на все преимущества, система полиамид—полиимид обладают недостаточной адгезией к подложкам, особенно к Si и Si02. Для ее повышения используются различные приемы. Так, согласно пат. США 4328262, для создания изолирующего покрытия сначала наносят первый слой толщиной около 1 мкм, термообра-батывают его и наносят второй слой толщиной до 20 мкм. В пат. США 4328262 также приведен пример сложной системы изолирующих термостойких резистных слоев. Первоначально на AI или фосфатосиликатное стекло наносят слой позитивного фоторезиста, после обычной литографии его задубливают при температуре свыше 350 °С, сверху наносят полиимидную пленку и термолизуют ее при 200 °С. Поверх полиимидной пленки наносят негативный фоторезист, который после литографии служит маской для травления полиимида. а затем снимается.
VI. 4. ФОТОРЕЗИСТЫ-ДИФФУЗАНТЫ
Фоторезисты-диффузанты — новые светочувствительные материалы, на основе которых могут быть осуществлены обе основные операции планарной технологии изготовления полупроводниковых приборов: фотолитография и диффузия. Диффузионный процесс определяет' уровень глубины электронно-дырочного перехода в кремнии и концентрацию легирующей примеси. Создание однородных диффузионных переходов относится к числу сложных задач планарной технологии, решение которых обусловлено в большой степени выбором диффузанта.
В патентах и научных публикациях последних лет прослеживается тенденция к использованию полимерных источников диффузии наряду с мономерными газообразными и жидкими [46—49]. Так, в пат. США 3084079 описано создание сплошной органической пленки из водного раствора метилтриметоксисилана и триметокси-бороксана; при 200°С в пленке протекает гидролиз компонентов, а затем и поликонденсация. Из образовавшегося полимера при 600 °С формируется легирующий оксид, используемый для последующей высокотемпературной диффузии. Сообщается об источни-
т
195
ках легирования, которые включены в полимерную пленку (например, на основе цианоэтилцеллюлозы): нитрид бора, порошок алюминия [пат. США 3630793].
Значительно более перспективным представляется использование в диффузионных источниках растворимых в органических растворителях полимерных элементорганических соединений, благодаря прежде всего возможности их равномерного нанесения на поверхность полупроводниковых пластин. Предложен состав, включающий полимерный карборан (0,2 г), полиметилсилоксан (8 г), бутилацетат (40 г), который позволяет получать поверхностные а б
З-si I
^-SiOa ц
4-S1 /
т
IV
v
VI
hv
рто
_шт—щт_
-Si
III
IV J2n
?oИ^plд„ц„o„"ГyЫLroдnyЫ (ТГЖ*„ІІ^ТЛТ ИЗГ»Т0ВЛЄННЯ п°лупровод„иков9го прибор, та <<Г): методу {Щ и при проведении диффузии из слой фоторевнстй-диффува!?
и°57-'дХГ; //-окисление; ///-экспонирование; IV - проявление, V-Ї - шаблон; 2 - фоторезист; в - фоторевист-диффузант.
концентрации бора 0,5-1020 3,0-1020 атом/см3 [48]; подобные составы рекомендованы для диффузии фосфора и мышьяка. Использованием полимерных пленочных источников достигнут малый разброс значений поверхностного сопротивления на пластинах кремния: 1,71 % для бора и 1,65% для фосфора и мышьяка [48]. При определенном подборе полимерных элементорганических соединений появляется возможность создания диффузионных слоев с нужными электрофизическими характеристиками.
В процессе длительного использования органических фоторезистов в основном решены вопросы создания однородных слоев с минимальным разбросом толщин. Это и определило идею разработки фоторезистов-диффузантов, обладающих точностью дозировки примесей, а также технологичностью нанесения, присущих фоторезистам. Схема селективного легирования из фоторезиста-диффузанта приведена на рисунке VI. 1.
В качестве диффузантов невозможно использовать светочувствительные составы, содержащие атомы серы или другие елек-
196
тронодонорные атомы, а также не участвующие в легировании полупроводника атомы металлов; совершенно недопустимо присутствие даже примесных количеств (10~5—IQ-6 %) атомов тяжелых металлов (Pb, Cr, Cu, Fe, Ni, Zn, Аи, Ag, и т. д.). Все эти включения искажают электрофизические параметры полупроводникового прибора, поэтому используемый фоторезист-диффузант не должен их содержать.
Таким образом, исходя из условий формирования электроноды-рочных переходов в полупроводниковых структурах, композиции фоторезистов-диффузантов могут быть основаны на соединениях, состоящих исключительно из атомов кислорода, азота, углерода и водорода, в которые должны быть включены нужные легирующие атомы, например, II, III, V, VIII групп, редкоземельных элементов и т. д. Первоначально заданное количество атомов легирующего элемента в композиции легко может быть сохранено в рисунке полимерного фоторельефа. Последний после защиты оксидом используется как источник диффузии для создания определенной поверхностной концентрации примеси нужной глубины залегания. Технология изготовления полупроводниковой структуры упрощается: сокращается число используемых материалов и операций, в частности, исключается наиболее критичная операция — травление [50].
Предыдущая << 1 .. 83 84 85 86 87 88 < 89 > 90 91 92 93 94 95 .. 139 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама