Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Сидельковская Ф.П. "Химия N-вннилпирролидона и его полимеров" ()

Райт П. "Полиуретановые эластомеры" (Высокомолекулярная химия)

Сеидов Н.М. "Новые синтетические каучуки на основе этилена и олефинов" (Высокомолекулярная химия)

Поляков А.В "Полиэтилен высокого давления. Научно-технические основы промышленного синтеза" (Высокомолекулярная химия)

Попова Л.А. "Производство карбамидного утеплителя заливочного типа" (Высокомолекулярная химия)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Высокомолекулярная химия -> Беднарж Б. -> "Светочувствительные полимерные материалы" -> 90

Светочувствительные полимерные материалы - Беднарж Б.

Беднарж Б., Ельцов А.В., Заковал Я., Краличек Я., Юрре Т.А. Светочувствительные полимерные материалы — Л.: Химия, 1985. — 296 c.
Скачать (прямая ссылка): photopolimers.djvu
Предыдущая << 1 .. 84 85 86 87 88 89 < 90 > 91 92 93 94 95 96 .. 139 >> Следующая

В принципе любой тип светочувствительных составов может быть использован при создании на его основе фоторезистов-диффузантов. Однако при этом необходимо, учитывая указанные выше ограничения по составу, обеспечивать эффективность протекания фотохимического процесса; во время высокотемпературной диффузии не должно выделяться гари, сажи, ядовитых паров. Однако фотополимерные составы радикальной или ионной фотополимеризации почти не используются в качестве основы фоторезистов-диффузантов, так как возможности фотополимеризации элементорганических полимеров пока мало изучены, а для ониевых солей трудно варьировать содержание в слое легирующего атома. Не используются и системы на основе поливинилциннаматов. Нарушение геометрических размеров халконовой цепи при введении легирующих атомов отрицательно влияет на эффективность фотолиза, поскольку фотоциклодимеризация халконовых групп —СН = СН — СО— очень чувствительна к пространственному расположению связей —СН=СН—.
К тому же атомы тяжелых элементов повышают относительную скорость внутренней конверсии возбужденных состояний ал-кена, что, в свою очередь, затрудняет фотоциклодимеризацию. Кроме того, для введения атомов каждого конкретного легирующего элемента в циклодимеризующиеся системы необходим свой путь синтеза. Едва ли можно рекомендовать в качестве основы фоторезистов-диффузантов и составы, включающие феноло-альде-гидные смолы, вследствие их деструкции при высокотемператур-н°й диффузии и выделения при этом летучих продуктов и сажи, что может привести к неравномерности легирования.
197
Имеется взаимосвязь содержания источника легирования в композиции слоя диффузанта с создаваемой в результате диффузии его поверхностной концентрацией и глубиной перехода в полупроводнике. По грубой оценке, например, для малой глубины перехода в кремний (3—5 мкм) слой диффузанта должен содержать 5-Ю16 атом/см3 фосфора для достижения поверхностной концентрации 1016 атом/см3. Для воспроизведения концентраций 1021 атом/см3 при глубоких переходах (порядка 40 мкм) необходимо увеличить содержание фосфора в материале источника в 105 раз. Введением в композицию фоторезиста—диффузанта мономерных соединений с легирующими атомами достигаются низкие поверхностные концентрации легирующих примесей, а для создания высоких концентраций приходится обращаться к элементоргани-ческим полимерам в качестве пленкообразующей основы слоя.
Поскольку разброс поверхностных концентраций примеси на пластинах любой площади должен быть минимален во всем диапазоне концентраций от 1016 до 1021 атом/см3, то для достижения таких параметров существенна низкая летучесть первичного диффузанта, а затем и продуктов его термораспада: она должна быть минимально возможной при повышенных температурах. Желательно, чтобы полимерный слой превращался при термоокислении в плотную пленку с выделением при этом минимального количества дыма и сажи.
Как видно из материала гл. IV, практически любые замещенные ароматические азиды эффективно распадаются под действием света, а образовавшиеся нитрены структурируют самые разнообразные полимеры. Введение элементов II, III, V, VIII групп как в мономерную молекулу, содержащую фрагмент ароматического азида, так и в полимер мало влияет на эффективность образования нитрена и его реакционную способность по отношению к полимеру [47]. Поэтому группа негативных азидсодержащих фоторезистов оказалась удобной для создания фоторезистных композиций, пригодных для использования и в качестве диффузантов.
Для унифицирования применения использовались соединения, фотолиз и область поглощения которых мало зависят от природы элемента. К ним относятся трис(ж-азидоарил)фосфиноксиды, синтезируемые по обычной схеме (а. с. СССР 523905)
где R = Н(1), 3-С1(П), 2-СНз(Ш)
а также арилазидопроизводные сурьмы и мышьяка [51]. Новые азиды устойчивы в обычных условиях работы с фоторезистами, не изменяются при длительном хранении в растворах и на воздухе. Эти соединения легко фотолизуются, например квантовый выход фотолиза соединения I составляет 0,54±0,05 (л=254нм, этанол),
198
хорошо сшивают полимеры типа циклополиизопрена, ряд других полимеров [52]. Все они растворимы в органических растворителях, легко совмещаются с полимерами. Требования полупроводниковой технологии по высокой чистоте (особенно по содержанию Си, Ре, № РЬ, Мп Сг, М? не более 10-5— 10~6 % ) могут быть легко выполнены при очистке этих веществ или промежуточных продуктов обычными химическими приемами. Малая зависимость параметров интегральной светочувствительности композиции от содержания триазидов в слое позволяет варьировать концентрацию светочувствительного легирующего компонента без изменения режимов экспонирования, что упрощает технологию их применения [52].
Предлагается композиция из 0,2—0,5 г трис(ж-азидофенил)фос-финоксида (Лмакс = 255 нм) и Юг эпоксидированного циклокаучука (3,8 % эпоксигрупп). Компоненты растворяют в 100 мл о-ксилола и полученный светочувствительный состав наносят на подложку центрифугированием, сушат при 60 °С, облучают через диапозитив лампой ДРШ-250, засвечивают и проявляют ксилолом или уайт-спиритом. Диффузию проводят при 1300 °С в течение 4 ч на воздухе в пластины р-51 с удельным объемным электрическим сопротивлением р = 50 Ом см. Полученный р—я-переход имеет вольт-амперную характеристику, близкую к теоретической, и время жизни 10 мкс. Поверхностная концентрация 1015—1018 атом/см3 зависит от концентрации ароматического азида и режима диффузии [а. с. СССР 520559]. Подобные же азидсодержащие элементорганиче-ские композиции описаны для селективного легирования полупроводниковых пластин мышьяком [а. с. СССР 622035]. Диффузию из фоторезиста в этом случае проводят на воздухе при 1250°С, полученные р—п переходы также имеют время жизни неосновных носителей порядка 8—10 мкс.
Предыдущая << 1 .. 84 85 86 87 88 89 < 90 > 91 92 93 94 95 96 .. 139 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама