Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Сидельковская Ф.П. "Химия N-вннилпирролидона и его полимеров" ()

Райт П. "Полиуретановые эластомеры" (Высокомолекулярная химия)

Сеидов Н.М. "Новые синтетические каучуки на основе этилена и олефинов" (Высокомолекулярная химия)

Поляков А.В "Полиэтилен высокого давления. Научно-технические основы промышленного синтеза" (Высокомолекулярная химия)

Попова Л.А. "Производство карбамидного утеплителя заливочного типа" (Высокомолекулярная химия)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Высокомолекулярная химия -> Беднарж Б. -> "Светочувствительные полимерные материалы" -> 98

Светочувствительные полимерные материалы - Беднарж Б.

Беднарж Б., Ельцов А.В., Заковал Я., Краличек Я., Юрре Т.А. Светочувствительные полимерные материалы — Л.: Химия, 1985. — 296 c.
Скачать (прямая ссылка): photopolimers.djvu
Предыдущая << 1 .. 92 93 94 95 96 97 < 98 > 99 100 101 102 103 104 .. 139 >> Следующая

214
Энергия, рассеянная в единице объема одним электроном /(г, г) (где г —радиус отклонения электрона при прохождении вертикального отрезка г), зависит от атомного номера элемента, атомы которого входят в состав вещества поглощающей среды, толщины подложки и слоя резиста, а также скорости падающих электронов (ускоряющего напряжения). Экспонирование резиста в местах, куда не падает первоначальное излучение, называется эффектом близости и ведет к значительным ограничениям формы 2пр=о
Рис. VII. 1. Пространственная модель рассея-иия пучка электронов нулевого диаметра в слое резиста на толстой подложке: / — резист; 2 — подложка; 3 — обратное отражение из подложки; 4,5 — профиль распределения обратного отражении в объеме слоя резиста (5) и в подложке (4); гпр глубина проникновения пучка электронов.
и размеров элементов рельефа, которые можно получить с помощью данного резиста [5]. Этот эффект, наблюдаемый главным образом у высокоразрешенных рельефов при толщине слоя резиста менее 1 мкм, стимулировал интенсивное теоретическое и экспериментальное излучение распространения электронов в резисте на
5
Рис. VII. 2. Траектории 100 электронов в ПЛША на кремнии по осям X и г (см. рис. VII. I), рассчитанные по методу Монте-Карло при ускоряющем напряжении 10 кВ (а) и 20 кВ (б).
подложке. Было предложено несколько моделей, позволяющих предсказывать экспозиционные профили в резисте и, следовательно, осуществлять выбор оптимальных параметров для получения требуемого размера элементов и толщины рельефа. Моделирование дало также возможность определять влияние отдельных параметров экспозиционного оборудования, природы резиста и подложки, а также формы рельефа.
215
Основными параметрами, необходимыми для определения формы профиля, являются плотность поглощенной энергии Е(г, г) и ее распределение в слое резиста. Для наиболее простого случая стационарного электронного излучения, характеризующегося потоком электронов i, падающих на слой резиста за время т, можно записать следующее выражение [6] :
(ixle) I (Г, 2) = Е (г, 2) (VII. 5)
где Е (г, z) — общая энергия, рассеянная в единице объема, эВ/см3; it/e — ко-личесгво падающих на слой полимера электронов.
Предсказание профиля резиста требует моделирования экспозиции и проявления. Для количественного описания распределения энергии в полимерном слое, помещенном на подложку, наиболее часто используется метод Монте-Карло. Он состоит в моделировании траектории электронов в системе резнет — подложка на ЭВМ. Взаимодействие электрона со средой представляет собой ряд последовательных отражений, при которых происходит изменение направления движения электрона и потеря им энергии. В большинстве подходов используют модель с одним отражением, направление которого случайно. При этом предполагается, что направление движения электрона изменяется в результате его упругого отражения от атомного ядра, причем угол столкновения может быть вычислен из приближенных решений уравнения Шре-дингера, предложенных Борном [7]. Угловое распределение рассеянных электронов зависит от потенциала. Чаще всего используют потенциал Томаса — Ферми, рассчитываемый в предположении, что на движущийся электрон действует атомный заряд близлежащего ядра, величина которого корректируется с учетом электронной оболочки атома. Предполагается также, что между двумя упругими столкновениями электрон движется по прямой с длиной, равной среднему свободному пути, и теряет энергию. Потерю энергии электроном обычно рассчитывают в соответствии с приближением постепенного понижения (метод CSDA) по уравнению Бете:
dE 2ле*па , аЕ
_ = ___ln_ (VIL6)
где пе — плотность электронов атома; Еъ — средняя энергия возбуждения атома; Е — энергия взаимодействующего электрона; а — константа, равная 1,166.
Другие модели используют модификацию метода CSDA для статистических расчетов неупругих столкновений. Рассеянная энергия всегда меньше начальной энергии электрона.
Последовательность столкновений для отдельного электрона изображена на рис. VII. 3. В начальном положении электрон имеет энергию Е0 и движется под углом 90° к поверхности бесконечно толстого слоя [8]. Первое рассеяние происходит на поверхности. Углы отклонения в0 и Фп, а также длина шага А0 вычислены по методу Монте-Карло. Построением множества моделей (точки 1, 2, п, оо) получают распределение траекторий
(см. рис. VII. 2) и распределение поглощенной энергии, из кото-
216
poro можно определить величину /(г, z) для каждой точки (см. также [9]).
Для получения надежных статистических результатов при использовании метода Монте-Карло необходимо рассчитать траектории нескольких тысяч электронов, что требует большого машинного времени. По этой причине на практике для предсказания рассеяния электронов используют аналитические модели, в которых предполагается, что потеря энергии в результате рассеяния складывается из трех составляющих: рассеяния под малым углом (РМУ) из пучка в полимере, рассеяния под большим углом (РБУ) в подложке и обратного отражения (00) в полимере. Для определения РМУ в резисте используют две аналитические модели. Гринейх и Ван Дузер [10] построили свою модель на основе теории рассеяния Ленца, по которой угловое распределение рассеянных электронов определяется интегрированием уравнения Больцмана по у всему пространству. В упрощенном подходе используют
Предыдущая << 1 .. 92 93 94 95 96 97 < 98 > 99 100 101 102 103 104 .. 139 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама