Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Сидельковская Ф.П. "Химия N-вннилпирролидона и его полимеров" ()

Райт П. "Полиуретановые эластомеры" (Высокомолекулярная химия)

Сеидов Н.М. "Новые синтетические каучуки на основе этилена и олефинов" (Высокомолекулярная химия)

Поляков А.В "Полиэтилен высокого давления. Научно-технические основы промышленного синтеза" (Высокомолекулярная химия)

Попова Л.А. "Производство карбамидного утеплителя заливочного типа" (Высокомолекулярная химия)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Высокомолекулярная химия -> Беднарж Б. -> "Светочувствительные полимерные материалы" -> 99

Светочувствительные полимерные материалы - Беднарж Б.

Беднарж Б., Ельцов А.В., Заковал Я., Краличек Я., Юрре Т.А. Светочувствительные полимерные материалы — Л.: Химия, 1985. — 296 c.
Скачать (прямая ссылка): photopolimers.djvu
Предыдущая << 1 .. 93 94 95 96 97 98 < 99 > 100 101 102 103 104 105 .. 139 >> Следующая

Рис. VII. 3. Пути электрона в слое материала, найденные по методу Монте-Карло.
уравнение Больцмана в приближении Ферми с учетом кратных малых углов [7]. Такой подход является, следовательно, псевдо-моноэнергетическим и ограничен случаем толстого слоя резиста, когда средняя энергия электрона, проходящего через поверхность раздела, равна энергии столкновений. Эта модель дает непосредственно распределение электронов в резисте в форме функции вероятности Я. ^ ^ ^ ^ [3//(4я23)] ехр (-3/г2/4г3) (VII. 7)
где / — средний свободный путь электрона, определяемый в нерелятивистской теорнн нз соотношения (VII. 8) [10]:
5,12- 10 3Е2А
Р221п (0J25Ell2z-ln
(VII. 8)
где Л —массовое число атома элемента, входящего в состав вещества резиста, в поле этого атома находится электрон; ? —энергия электрона; р — плотность резнста.
Если столкновение электронов имеет Гауссово распределение / (г) - ,-„/яг2 ехр - (г2/г2) (VII. 9)
где Г — Гауссов (среднеквадратичный) радиус распределения то результирующая плотность распределения электронов в твердой фазе определяется круговым интегралом (VII. 10) входной
217
функции I(r) и соответствующей функции H(r, z):
2л л
/ (г, Z,
z) I (г) rdr i
(VII. 10)
Интегрирование уравнения (VII. 10) не может быть проведено в аналитической форме необходимо использовать численные методы.
Потеря энергии одним электроном в 1 см3 при РМУ может быть рассчитана из соотношения:
dE
I (f, 2)
РМУ ¦
dx
l (r)/?.
(VII. 11)
Плотность поглощения энергии одного электрона рассчитывается как сумма плотностей поглощения РМУ, РБУ и 00:
I (г, г) = I (л г)РМу + / (г, 2)РБу + / (г, г)00 (VII. 12)
Общая плотность поглощенной энергии определяется как произведение /(г, г) и общего электронного тока.
Для расчета коэффициентов 00 существует ряд подходов. Простая эмпирическая модель для отражения [11] основана на прямом наблюдении на нескольких субстратах химических изменений, обусловленных
00 при разных ускоряющих напряжениях, и прмложима для анализа изменений,
Рис. VII. 4. Кривая чувствительности негативного электронорезиста СОР на разных подложках (толщина слоя ре-знста <2о = 0,66 мкм, ускоряющее напряжение 20 кВ):
/ — 0,1 мкм ЗЬМ»; 2 — 0,1 мкм 813М, на Б1; 3 — 0,4 мкм Аи на Б1.
D, Кл/смг
происходящих при экспозиции резиста. Модель не зависит от пути рассеяния и расчета теряемой энергии.
Иной подход для эмпирической оценки 00 заключен в методе так называемого свободно стоящего толстого слоя резиста. Эта модель обсуждалась [12] с использованием кривой чувствительности негативного резиста (рис. VII.4). Кривая, отвечающая слою резиста на подложке из 513Ы4 толщиной 0,1 мкм хорошо приближается к идеальному случаю свободно стоящего слоя резиста, так как коэффициент 00 подложки очень мал (0,01—0,02).
Для данной экспозиции на большой площади, которая используется для построения кривой чувствительности, плотность рассеянной энергии электронов зависит только от глубины проникновения пучка в слой резиста гпр. С учетом этого можно написать следующее уравнение [13]:
Е{г) = ТЧГ (У1113>
218
где о _ экспозиционная доза (Кл/см2); ^-—потеря энергии на единице длины в направлении г.
Специфическую рассеянную энергию можно найти из выражения:
di.
Я (f) Ус,
dz
Re
(VII 14)
где Ua — ускоряющее напряжение; Ra — длина пробега Грюна; RQ = [0,046/p]t/a;
ф — функция, связывающая гпр с экспозиционной дозой и выраженная через нормализованное проникновение электронов / = 2„р/#о (плотность р полимерных материалов приблизительно равна 1).
Зависимость z„p от экспозиционной дозы определяется экспериментально измерением степени ионизации как функции проникновения электронного пучка или его проникновения в зависимости от ускоряющего напряжения. Зависимость X от f можно выразить в полиномной форме:
X (f) = 0,74 + 4,7f + 8,9f2 + 3,5f3
(VII. 15)
Зависимость X от f (рис. VII. 5) образует экстремум, отвечающий максимуму рассеяния энергии, кото- Q4
',2-
0,6
Рис. VII. 5. Зависимость нормализоваииой глубины проникновения электронов / от 1 в веществе, содержащем элемент с низким атомным номером.
0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 f
рый наблюдается при конечной глубине проникновения и зависит от ускоряющего напряжения.
Специфическая рассеянная энергия —? имеет две компоненты:
Аг (VII. 16)
dz \ dz /РМУ V dz J0о
Вводя коэффициент 00 как ^ = (^т)рш/(^f)0о' можно
-(4гХ (1+т1) (VIL17)
записать
di г
dz
РМУ
Для толстого слоя резиста на Si3N4, когда и я* 0, можно с использованием уравнения (VII. 10) получить соотношение:
(VII. 18)
РМУ
219
где Dr — экспозиционная доза в точке гелеобразования на границе подложки
и резиста; Е1Г — адсорбированная на этой границе энергия электронного излучения.
Вообще для любого субстрата можно записать:
Из последних трех уравнений получаем выражение:
(°1т\/К-1 + П1 (VII. 20)
где 1|' — эффективный коэффициент 00 на границе подложки и резиста.
Эта модель, использующая зависимость глубины проникновения г от дозы излучения, дает возможность вычислить энергию Е в точке гелеобразования, зная дозу излучения в этой точке, и предсказать зависимость дозы в точке гелеобразования от ускоряющего напряжения D[ = (Ua°'15), что хорошо согласуется с экспериментом. Найденные значения ц1 также согласуются с величинами, вычисленными по методу Монте-Карло [12]. Таким образом, с помощью модели обратного рассеяния можно вычислить долю 00 в любой точке простой дополнительной модификацией плотности РМУ в виде /0(1 + Г|).
Предыдущая << 1 .. 93 94 95 96 97 98 < 99 > 100 101 102 103 104 105 .. 139 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама